模电04(三极管BJT)7.pptVIP

4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 复习 * 交、直流放大电路 信号运算电路 信号处理与产生电路 直流稳压电源 模拟电路的主要内容 Ch. 4、5、6、7、8 Ch. 2 Ch. 9 Ch. 10 （分类依据：电路功能，输入信号与输出信号之间的关系） 基础知识 Ch. 1、3 交、直流放大电路 分立元件 集成器件 场效应管FET 双极结型三极管BJT Ch.6 Ch.4 集成运算放大电路 Ch.5 功率放大电路 其它专门电路 Ch.8 放大电路中的反馈 Ch.7 第四章 双极结型三极管及放大电路基础（P101～185） * 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应 第四章 双极结型三极管及放大电路基础（P101～185） 基本要求： （了解、理解、掌握） 1、了解BJT的放大原理及输入输出的特性曲线； 2、掌握BJT放大电路的三种组态的组成、工作原理及特点； 3、掌握静态、动态性能指标的分析计算（包括图解分析法和小信号模型分析法）； 4、掌握多级放大电路的分析计算； 5、掌握放大电路频率响应的分析方法。 * 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 BJT: Bipolar Junction Transistor 双极结型三极管：有自由电子和空穴两种极性的载流子参与导电。 1.结构 发射极用e 表示(Emitter) 集电极用c 表示(Collector) 基极用b表示(Base) 发射区 集电区 基区 三极管符号 两个背靠背的PN结——三个电极、三层半导体、两个结。分类:NPN型和PNP型。 集电结(Jc) 发射结(Je) 符号中，发射极上的箭头表示发射结加正偏电压时，发射极电流的实际方向。 2.结构特点 ? 发射区e掺杂浓度最高； ? 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区b最薄，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 所以，发射区和集电区不是电对称的。 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 放大状态的外部条件： e结正偏，c结反偏 NPN 管: PNP 管: BJT中有两个PN结，每个PN结有正偏、反偏两种工作状态，所以BJT在工作中有四种工作状态： 放大、饱和、截止、倒置。 以下以NPN型管为例进行分析 e b c iB、iC 流入电极； iE流出电极。 e b c iB、iC 流出电极； iE流入电极。 PN结正偏时，主要是什么形成的电流？什么电流可忽略？ PN结反偏时，主要是什么形成的电流？什么电流可忽略？ P型半导体中，多子是？少子是？ N型半导体中，多子是？少子是？ 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 放大状态下BJT中载流子的传输过程 1.内部载流子的传输过程 1）e结正偏 扩散电流为主 IEN大，IEP小；共同形成IE，大小受vBE影响。 漂移电流为主 ICN大，ICBO小；共同形成IC。其中温度一定时，ICBO值恒定（由各三极管的实际掺杂浓度决定），不受IEN影响，从而也不受vBE影响。 2）c结反偏 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 放大状态下BJT中载流子的传输过程 1.内部载流子的传输过程 1）e结正偏 扩散电流为主 漂移电流为主 2）c结反偏 3）b区 电子从e区到c区途经b区，被b极拉走一部分 IC= ICN+ ICBO IE=IB+ IC 电流关系： 2. 电流分配关系 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 放大状态下BJT中载流子的传输过程 设 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 2. 电流分配关系 3. 三极管的三种组态 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 BJT的伏安特性曲线：直