第八章 光刻1193.pptVIP

第八章 光刻 光刻：图形由光刻版转移到光刻胶上！ 光刻次数和光刻版个数表征了工艺的难易 决定了特征尺寸 起源于印刷技术中的照相制版。 * fhfh 光刻的目的 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形，其 次是在晶园表面正确 定位图形。 * fhfh 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一 层之间所要求的正确对准。如 果每一次的定位不准，将会导 致整个电路失效。除了对特征 图形尺寸和图形对准的控制， 在工艺过程中的缺陷水平的控 制也同样是非常重要的。光刻 操作步骤的数目之多和光刻工 艺层的数量之大，所以光刻工 艺是一个主要的缺陷来源。 * fhfh VLSI对光刻的要求 高分辨率：集成度越高，特征尺寸越小，要求光学系统分辨率越高； 高灵敏度：曝光时间越短越好； 套刻精度：套刻误差应小于特征尺寸的10%； 大尺寸硅片加工：膨胀系数； 低缺陷 * fhfh 光刻工艺流程 去水烘烤（Dehydration）涂胶（Priming）软烤（Soft Bake）曝光（Exposure） 烘烤（Bake）显影（Develop） 硬烤（Hard Bake） 腐蚀（Etch）去胶（Photoresist strip