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无机材料科学基 第九章相变

相变的意义 硅酸盐工业当中的相变 陶瓷/耐火材料的烧结和重结晶 引入矿化剂控制晶型转变 玻璃中防止失透/微晶玻璃制造 陶瓷/搪瓷/各种复合材料的熔融和析晶 压电/热电/电光效应 讨论:T 对 IV 的影响。 T IV P D IV IV出现最大值 非均匀成核:有外加界面参加的成核。 原因:成核基体存在降低成核位垒,有利于成核。 成核剂(M) 固体核 液体 ? 润湿 0~900 1~0 0~1/2 (0~1/2) 不润湿 900~1800 0~(-1) 1/2~1 (1/2~1) ? cos? f(?) 非均匀成核临界成核位垒 与接触角?的关系。 较小的过冷度即可以成核 非均匀成核速率Is: 结论: 2. 润湿的非均匀成核位垒低于非润湿的,因而润湿更易成核。 应用 2.结晶釉:在需要的地方点上氧化锌晶种。 3.油滴釉:在气泡的界面易析出含Fe3+的微晶。 1.过饱和溶液在容器壁上的析晶。 4. 结构缺陷处成核并生长:如螺位错成核生长。 非均匀成核更容易进行 影响晶体理想生长过程速率u 温度(过冷度) 浓度(过饱和度) 2、晶体生长过程动力学 晶体稳定位置 液体稳定位置 q . 距离 能 量 质点由液相向固相迁移的速率: 质点由固相向液相迁移的速率: 质点由液相向固相迁移的净速率: 线性生长速率 界面层的厚度 当T ? T0,即? T?0,?GRT,则 当TT0,则?GRT,此时 生长速率达极大值,一般约在10-5cm/s范围。 线性生长速率 讨论: 利用近似公式: exp(x) = 1+ x (x1) logu 出现峰值原因: 高温:由液相变成晶相的速率控制增大?T 对此过程有利,故 u 增大。 低温:由相界面扩散控制,低温液相粘度大不利于扩散v减小故 u 降低。 2)实际晶体的螺位错生长机构 U∝ (ΔT)2 螺位错生长示意图 针状莫来石晶体的螺位错生长 实例 3、总结晶速率 表示方法: 推导: t=0 V 0 t=τ V?=V-V ? V? 在 dt 时间内形成新相的粒子数 假设新相为球状,生长速率u 为常数,在dt 时间形成新相体积为 转变初期 V?=V 在 t 时间内产生的新相的体积分数 假设 IV、u 与 t 无关。 在相变初期,转化率较小时 n:阿弗拉米指数 校正:(1) 阿弗拉米对相变动力学方程作了适当的校正,导出公式 (2) 考虑时间对两个速率的影响,导出的关系式为 讨论:(1) 当IV随 t 减少时,3? n ? 4 (2) 当IV随 t 增大时,n 4 阿弗拉米方程的用途:研究属于扩散控制的转变 蜂窝状转变,如:多晶转变。 * Chapter 9 phase transformation 第九章 相变 相:系统中具有相同的物理性质和化学性质的均匀部分。 微观尺度上的均匀,而非一般意义上的均匀 相与相之间有界面,可以用物理或机械办法分开 一个相是均匀的,但不一定是一种物质 相变:一定条件下体系中发生的从一相到另一 相的变化过程。 狭义相变:过程前后相的化学组成不变,即不发生化学反应。 广义相变:包括过程前后相组成的变化。 相以及相变 材料性能A 材料结构a 材料性能B 材料结构b 应用:相变可以控制材料的结构和性质。 相变开裂:石英质陶瓷 相变增韧:氧化锆陶瓷 地砖:玻璃态 微裂纹扩展 玻璃态+晶体态 晶体含量增加强度上升 对于获得预定材料性能;制定合理的工艺过程 g ? L (凝聚、蒸发) g ? S (凝聚、升华) L ?S (结晶、熔融、溶解) S1 ?S2 (晶型转变、有序-无序转变) L1 ?L2 (液体) A+B?C 亚稳分相 (Spinodal分相) §9-1 相变的分类 一、按热力学分类 ? (P,T) 一级相变和二级相变 一级相变: 一般类型:晶体的熔化、升华; 液体的凝固、气化; 气体的凝聚以及晶体的晶型转变。 特 点:有相变潜热,并伴随有体积改变。 P0 P T0 即: 结论:无相变潜热,

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