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华微电子三极管讲座
4、主要型号及选用要求4.1普通CRT电视机行管 * 吉林华微电子电视机用双极晶体管介绍 1、晶体管构造2、生产流程3、试验标准和方法4、主要型号及选用建议5、失效分析介绍6、产品发展方向 1、晶体管构造1.1实物示例 1.2管芯横截面示意 N- N+ P- N+ 集电极 发射极 基极 2、生产流程 制 造 流 程 芯片制造 封装 衬底制造 管芯制造 原始单晶片示例 衬底片示例 衬 底 制 备 三重扩散 磨抛 N+予扩 N+氧化 N+主扩 N- N- N+ N+ 氧化层 三重扩散 磷 源 磨片 抛光 N- N+ N- N+ 磨抛 管芯制造: 基区制造 发射区制造 终端保护 引线孔制造 正面电极制备 背面电极制备 中测 裂片 硼预扩 硼主扩 硼氧化 N- N+ 硼源涂布 N- N+ P- 氧化层 基区制造 磷预扩 磷主扩 N- N+ P- N+ N- N+ P- N+ 磷源 发射区制造: N- N+ N+ P- N- N+ N+ P- 玻璃粉 终端保护: 台面腐蚀 玻璃电泳 N- N+ N+ P- 引线孔制造: 引线孔光刻 发射区引线孔 基区引线孔 正面蒸铝 N- N+ P- N+ N- N+ P- N+ Al 正面电极制备: 光刻铝、铝合金 发射区铝电极 基区区铝电极 N- N+ P- N+ 背面电极制备: 背面蒸金 黄金 N- N+ P- N+ 裂片: 裂片 裂缝 管芯示例 正面 背面 芯 片 封 装 粘片 键合 塑封 电镀 切筋 测试 粘片示例 键合示例 塑封示例 测试示例 3、试验标准和方法 3.1产品设计规范 按照GB/T 7577-1996《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》(idt IEC 747-7-2:1989)制定的.符合GB 4589.1-89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》(idt IEC 747-10)和GB 12560-90《半导体器件 分立器件分规范》(idt IEC 747-11-85)的要求. 测试方法和试验方法符合GB/T 4587-94 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》(idt IEC 747-7-1988)和GB/T4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》(idt IEC 749:1994)的要求. 3.2举例说明3.2.1例行试验:B5分组:快速温度变化继之以湿热循环 ;B8分组:电耐久性,168h ;C7分组:稳态湿热(D), 严酷度1(168±16)h ,VCB=1000V, 温度:85℃±2℃, 相对湿度:80%~90%;C8分组:电耐久性 , 1000h ;C9分组:高温贮存(D),1000h ;3.2.2可靠性试验主要进行寿命筛选,100%进行,其中包括:a 高温贮存筛选,150度储存19小时;b 高温反偏测试筛选,100度100%测试。 B5分组:快速温度变化试验示例 B8分组,电耐久性试验示例 C7分组:稳态湿热示例 C9分组:高温贮存例行试验示例 高温贮存筛选示例 高温反偏筛选示例
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