现代电力电子技术课程设计.docVIP

现代电力电子技术 课程设计 目 录 一、可调直流稳压电源总体方案设计 1 1.1 设计任务与要求 1 1.2 总体方案论证与设计 1 二、主电路设计及元器件选型 2 2.1 主电路的拓扑结构选择 2 2.2 IGBT管的选型 3 2.3 交流侧电感设计 3 2.4 直流侧电容设计 4 三、控制电路设计及元器件选型 5 3.1 本设计采用的控制方式 5 3.2 检测电路的设计 5 3.3 调制比m的确定 6 3.4 电流PI调节器的设计 7 3.5 电压PI调节器的设计 9 3.6 保护电路设计 12 四、驱动电路设计 14 4.1 驱动芯片选型 14 4.2 驱动电路的设计 14 五、控制软件流程 15 六、设计总结 17 一、可调直流稳压电源总体方案设计 1.1 （一）设计目标 设计一个可调直流稳压电源。基本技术参数为： 输入电压：三相380V AC； 输出电压：0～550V DC连续可调； 最大输出电流：DC 200A； 输出电压纹波因数：＜1.0%。 （二）设计要求 （1）、确定主电路设计方案，完成主电路参数计算，并确定主电路元器件选型； （2）、完成控制电路设计并确定元器件选型控制软件设计流程Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）、集成门极换电流晶闸管（Integrated Gate Commutated Thyristors， 图1.1 可调直流稳压电源总体方案框图 二、主电路设计及元器件选型 本设计中采用的功率开关管是IGBT。绝缘栅双极型晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它是由功率MOSFET和功率晶体管GTR集成在同一个芯片中，因此IGBT即具有功率MOSFET工作开关频率高、输入阻抗较大及驱动电路简单等优点，也具有功率晶体管GTR的低饱和和电压特性及易实现较大电流的能力。 本设计中要求整流器效率达到90%以上，输出额定功率为kW。用表示输入功率，表示每相输入电流的有效值，则有： （1） 三相输入市电取有效值为220V，则每相输入电流有效值： （2） 所以由每相输入电流有效值可以计算得到网侧电流峰值为： （3） 选取网侧电流峰值的设计值为A，并且考虑设计余量为2倍，因此在本设计中选取额定电流是A的功率开关管IGBT。 对于功率开关管IGBT，除了确定它的额定电流外，还须计算出电压有效值。由式可以得到： （4） 式中，表示输入线电压的振幅值，为IGBT的最大反向电压。 考虑到安全余量，取1.5倍。。所以IGBT的额定电压取1600V。关于交流侧电感的设计，本设计要求同时满足三相VSR有功（无功）功率稳态指标和三相VSR瞬态电流跟踪指标。 （2.5） 本设计是关于三相电压型PWM整流电路，满足单位功率因数整流。所以关于交流侧电感的公式采用式（2-19）。 设计一个输出额定功率可达到kW的三相电压型PWM整流电路。整流电路输入为三相市电。所以电网相电动势峰值为；。 在IGBT参数选择中已得到交流侧基波相电流峰值。可以得到关于交流侧电感的上限值： （6） 表示最大允许谐波电流脉动量。根据任务书的要求，交流侧电流脉动率小于额定值的10%。所以可以得到： 又由于载波频率（开关频率）10KHZ。所以综上所述，可根据式（2-26）求出电感的下限值，如下所示： （7） 经过上述计算及从整流电路整体设计考虑，交流侧电感参数选择为mH/270A。本设计输入端采用的是三相对称电压源，所以交流侧三个电感的参数是一样的。 在电感的设计中，对于磁芯的形状，一般有磁环磁芯、罐型磁芯、E型磁芯、EC磁芯和PQ磁芯。本设计采用的是磁环磁芯。 关于直流侧电容的设计，本设计要求同时满足三相VSR直流电压跟随性指标直流电压抗干扰性能指标。 由式（2-35）可以得到：为了满足电压环的跟随性能指标，三相VSR直流侧电容要尽量小，以确保三相VSR直流侧电压的快速跟踪控制； 由式（2-36）可以得到：为了满足电压环控制的抗干扰性能指标，三相VSR侧电容要尽量大，以限制负载扰动时出现的直流电压动态降落。 为了满足设计要求，所以可以得到关于直流侧电容的不等式：