ETGH基础问答.docVIP

ETCH ~* d1 |0 n9 S( I/ M$ s9 L何谓蚀刻(Etch)?( G0 v. z% `3 }0 @+ ?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。* b! \0 Y5 p7 U. x蚀刻种类: Q, m: G( c3 g0 e: K7 X+ g答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻: T# Y4 q! Y; e$ _2 a# V2 ^2 k蚀刻对象依薄膜种类可分为: # ?7 r7 D7 l. `. v8 ` ]答：poly,oxide, metal/ \7 I/ Q- a v7 K半导体中一般金属导线材质为何? D2 z7 D- {1 ]: \ |答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 8 q2 L7 I) |/ K; `3 z# g何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?; R7 c1 t, ] Q: T答：Oxide etch and nitride etch g- m- ~8 T9 h+ G _1 T2 y; o0 C半导体中一般介电质材质为何? ! M9 N$ R4 f _- {9 h- X( |答：氧化硅/氮化硅 * [! X `1 x X; s何谓湿式蚀刻 ) i0 }) H F; }5 O, f) u/ k答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除( j Z: g. o/ V$ | K N. q @何谓电浆 Plasma? ; W9 q0 D- i$ L( R T, l答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 1 E3 L8 I% m4 R. i何谓干式蚀刻? ( ~1 h) E$ G! E, X) D答：利用plasma将不要的薄膜去除 V; T3 \: `7 O7 T何谓Under-etching(蚀刻不足)? ]* h O s9 e7 H答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留$ G% P5 k% [ N0 D4 {何谓Over-etching(过蚀刻 ) . K L$ i q1 {7 d答：蚀刻过多造成底层被破坏5 O+ S( z; {- X3 d7 [( M何谓Etch rate(蚀刻速率)1 L+ Q# v8 c4 y+ \( x答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 ) Z t; f# A$ Z X/ G何谓Seasoning(陈化处理)+ e7 S4 N) [1 X J; t- X( n0 x% J1 a答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆进行数次的蚀刻循环。 , H. A9 K* P ]9 j, iAsher的主要用途:+ S, G- i5 T1 } |: I答：光阻去除 9 h4 e3 g h( D5 G4 x( d/ @% \# vWet bench dryer 功用为何? 8 H! L p. n: S! { S答：将晶圆表面的水份去除 K ^! m% W# _- a/ d/ p% B Q列举目前Wet bench dry方法: I ]# N6 j4 f5 b; v1 _* R. P答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry W h9 j: ^6 ] v3 O [何谓 Spin Dryer }1 Y X6 D D o8 ^7 o答：利用离心力将晶圆表面的水份去除 . J2 Y2 z* L$ Z S何谓 Maragoni Dryer3 f U8 i! q: x% k4 ^7 a I, \9 u t答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除( O. j% [4 d F! \. q* s- `% e何谓 IPA Vapor Dryer 5 g# f, k; c. r( u7 E答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 . q1 \2 {2 D0 H J/ n) b0 U测Particle时,使用何种测量仪器? N) } N7 Y7 O4 h/ q i/ [- v+ V答：Tencor Surfscan; e Q- A/ k* G) G测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 1 q! u# F3 j# n9 K0 }2 f$ U2 C答：膜厚计,测量膜厚差值 ! r n6 ?# U# f M/ P何谓 AEI$ n: W4 _* d- R \2 M; G9 V, U答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查0 H L* B. n% h1 ` q! b