电磁场与电磁波第4章恒定磁场.pptVIP

对比矢量磁位的计算公式可得： 考虑到 时有 ， ，故有 令 ，则磁感应强度可表示为 可表示为一标量函数的梯度，将标量 函数 称为恒定磁场的标量磁位 在无源区域： 标量函数满足的边界条件： 4.5 磁介质中的安培环路定律 4.5.1 磁化强度矢量 为包围点的一小体积元， 为体积内分子电流磁偶极矩的矢量和， 为点单位体积中的磁矩矢量，单位为安/米（A/m） 每一个分子电流相当于一个磁偶极子，它在远区产生的矢量磁位为 若磁偶极子的中心在点 ，则上式又可写成 4.5.2 磁化电流 如图，在体积 内取体积元 ， 则其磁矩为 ，它在P点产生的矢量磁位是 体积 内所有的磁偶极子在P点产生的矢量磁位是 应用矢量恒等式 将上式变形可得： 利用高斯定理的切向形式对上式第二项变形可得： 磁介质中的束缚体电流密度为： 磁介质中的束缚面电流密度为： 例 半径为a、高为L的磁化介质柱(如图 所示)，磁化强度为M0(M0为常矢量，且与圆柱的轴线平行)，求磁化电流Jm和磁化面电流JmS。 图 3 – 15 例 3 - 7用图 解：取圆柱坐标系的z轴和磁介质柱的中轴线重合， 磁介质的下底面位于z=0处，上底面位于z=L处。此时， ，磁化电流为 在界面z=0上， , 在界面z=L上， ， 在界面r=a上， , 4.5.3 磁场强度 在外磁场的作用下，磁介质内部有磁化电流Im。 磁化电流Im和外加的电流I都产生磁场，这时应将真空中的安培环路定律修正为下面的形式： 令 其中 称为磁场强度矢量，单位是A/m(安培/米)。于是有 相应的微分形式是 这就是磁介质中的安培环路定律 4.5.4 磁导率 式中χm是一个无量纲常数，称为磁化率。 式中，μr=1+χm，是介质的相对磁导率，是一个无量纲数；μ=μ0μr，是介质的磁导率，单位和真空磁导率相同，为H/m(亨/米)。 铁磁材料的B和H的关系是非线性的，并且B不是H的单值函数， 会出现磁滞现象，其磁化率χm的变化范围很大，可以达到106量级。 4.5.5 磁介质中恒定磁场基本方程 微分形式 积分形式 磁介质的本构方程 例 同轴线的内导体半径为a，外导体的内半径为b，外半径为c，如图 所示。设内、外导体分别流过反向的电流I， 两导体之间介质的磁导率为μ，求各区域的H、B、M。 图 3-16 同轴线示意图 解： 以后如无特别声明，对良导体(不包括铁等磁性物质)一般取其磁导率为μ0。因同轴线为无限长，则其磁场沿轴线无变化， 该磁场只有φ分量，且其大小只是r的函数。分别在各区域使用介质中的安培环路定律，求出各区的磁场强度H， 然后由H求出B和M。 当r≤a时， 电流I在导体内均匀分布，且流向+z方向。由安培环路定律得 考虑这一区域的磁导率为μ0，可得 (r ≤ a) (r ≤ a) 当ar≤b时，与积分回路交链的电流为I，该区磁导率为μ，可得 (ar≤b) 当br≤c时，考虑到外导体电流均匀分布，可得出与积分回路交链的电流为 则 当rc时，这一区域的B、H、M为零。 4.6 恒定磁场的边界条件 图 4.6.1 恒定磁场的边界条件 在不同磁介质的分界面上，由于磁介质的磁导率存在突变，而且在磁介质表面上一般还存在着束缚电流，因此，B和H在经过分界面时要发生突变。 B和H在分界面两侧的变化关系称为B和H在分界面上的边界条件。 在两种磁介质分界面上，取一个跨过分界面两侧的小扁状闭合柱面（高为无穷小），如图4.6.1(a)所示，应用磁通连续方程可得： 或： 即： 故：磁感应强度的法向分量连续 再在磁介质分界面上，取一跨过分界面两侧的小矩形回路，如图4.6.1(b)所示，这个小矩形回路的两边平行于分界面，且分居于分界面两侧，另外两边h垂直穿过分界面，且h→0。应用安培环路定律可得： 若分界面上分布有表面电流，取垂直于小矩形面积的单位矢量为 ，则穿过小矩形面积的电流为 ，如图所式。 另外， 又可以写成