国家标准硅单晶中碳氧含量的测定 低温傅立叶变换.docVIP

国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换 红外光谱法》（讨论稿）编制说明 工作简况 项目背景和立项意义 半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。半导体硅（单晶或多晶）材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，至今全球信息产业使用的硅材料仍占半导体材料总量的95％以上，而且国际集成电路（IC）芯片及各类半导体器件的95％以上也是用硅片制造的。半导体产业的发展是建立在晶体硅材料的研究基础上，一般要求晶体的质量越高越好。氧和碳是硅晶体中两种最主要的轻元素杂质，无论是对单晶硅材料还是太阳能电池和电子器件的性能都存在一定的影响，因此，准确地检测氧和碳含量，对硅材料具有重要意义。GB/T 25074-2010《太阳能级多晶硅》和GB/T 12963-2009《硅多晶》分别规定了氧和碳的指标要求。现行国家标准GB/T 1557-2006《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》和GB/T 1558-1997《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》分别规定了间隙氧和代位碳的常温红外测定方法。但在常温条件下，碳和氧的检测灵敏度不高，检测下限为5×1015atoms·cm-3，而在低温条件下，碳和氧的检出限可以达到1×1015atoms·cm-3，检测灵敏度大大提高，可以很好地满足各种电子级高纯硅材料的检验需求，对进一步促进半导