复旦微电子模拟集成路设计单级放大器.pptVIP

单级放大器 直流偏置 分压电路 电流镜电路 单级放大器 共源放大级 源跟随器 共栅放大级 共源共栅放大级 分压电路 电阻分压：提供简单的直流电压偏置 分压电路 分压电路 分压电路 分压电路 电流源电路 电流源电路 电流源电路 放大器的基本概念 放大器的输入输出特性在一定信号范围内可表示为： 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 源跟随器 源跟随器 源跟随器 源跟随器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共栅放大器 共源共栅放大器 共源共栅放大器 共源共栅放大器 共源共栅放大器 共源共栅放大器 共源共栅放大器 小结 讨论了单级放大器的电路结构 介绍电路的大信号和小信号特性的直观分析方法，近似推导了电路的增益和输入输出阻抗。 讨论了通过增大电压放大器的输出阻抗以得到高增益的方法。 MOS的近似阻抗。 计算增益： 等效电阻1/gmb 计算输出阻抗： 直观的： 考虑负载电阻RL，则： 比较共源级和源跟随器，若 共源级： 源跟随器： 源跟随器并不是必须的驱动器。 电路结构： 在共栅级中，信号从MOS 管的源极输入，漏极输出。栅极接地，在交流分析中，栅极等效接地。 共源级和源跟随器中，信号都是从MOS 管的栅极输入，因此电路的输入阻抗大。而共栅级的输入阻抗小。 直流分析：假设Vin从Vdd下降。 当 当 当 M1最终进入线性区 共栅级结构更适合于电流放大。 M1 Vb Rd Vout ～ ～ Vin 等效电路分析： 放大倍数： 用电阻表示： 结果和书上结论一致。 放大倍数是正值。 体效应使增益变大了。 当 输入电阻： 用电阻表示： 结论： 体效应使输入阻抗降低。 当 在忽略沟道长度调制的情况下，从M1源极所看到的输入阻抗相同。 当 只有在漏端负载阻抗很小时，共栅级的输入阻抗才会较低。 一般， 例：M1得到输入电压变化ΔV，通过50Ω的传输线传送。 在低频条件下，两种接法的增益 两种接法的增益相同。 在结点X处的反射最小 条件：在M2看到的阻抗为50Ω 调节M2的尺寸和偏置。 考虑Rs时的增益： Vin Vin’ Rs rin 代入 和共源级负反馈电路相比： 增益略高一些。 若忽略 反相和正相之差。 共栅级输出阻抗： I 和源极负反馈共源级的情况相类似。 电路结构： 是共源级和共栅级的级联。 M1是输入器件，将Vin 转换为成正比的电流。 M2是共源共栅器件，I1=I2， 共源共栅结构的偏置条件： 若M1饱和， 若M1、M2饱和，则决定于M2栅极偏置 思路：跨导不变，但X点的电压值相对稳定，输出阻抗增加。 电压增益： M1的电流必定流过M2，跨导和共源级相同 电路可以看成负反馈共源级。 输出阻抗为： 结论：输出阻抗提高了 倍。 电压增益： 层叠的意义： 输出的电压摆幅下降。 屏蔽作用：上面的MOS管“屏蔽”了下面的管。使M1的漏极变化小。 如图，三层共源共栅的增益上升，但最小输出电压为三个过驱动电压之和。 例：提高增益的方法 提高共源级输入器件的L→4L I不变，Veff增加一倍，摆幅下降。 增益上升二倍。 共源共栅结构 增益增加 倍。 Veff增加一倍，摆幅下降。 * VDD M1 R1 R2 Iout 电阻值小，则电流大，面积小。反之，则电流小，面积大。 输出电压受电阻的相对值影响。 受Vdd的影响，当Vdd改变时，Vo也改变。 若Vgs-Vth很小时，尽管Vo很精确，但Vth和迁移率随工艺而改变，使得输出电流很不精确。 Vo 二极管分压 电阻值太大，为节约面积，用MOS管栅源短接代替电阻——有源电阻。 因为栅源短接，MOS管总是在饱和区 Vds Id AC DC G D V S 若 若 可忽略 D S M2 M1 Vo=VDS1 二级管分压电路：M2采用PMOS,消除体效应。 例： 同理可得： 取： 结论： 给定电压和电流，确定MOS管的宽长比 例：给定参考电流。通过一个MOS二极管得到偏置。 a) 输出电压和VDD没有关系。而和参考电流有关。 b) 面积减小 30ua Vo=3V 5V 概念：假定有一个精确的参考电流源，电流镜电路可以将 这个参考电流精确地复制。 Iref Iout M1 M2 精确程度取决于匹配。 等效电路： 没有电流流过1/gm 例： 小信号输出阻抗： 增加输出阻抗提高精确程度。 Iref M1 I2 M