毕业设计论文Pr和Dy共掺杂BiFe0.97Mn0.03O薄膜的制备及多铁性能研究定稿.docxVIP

毕 业 论 文 题目：Pr和Dy共掺杂BiFe0.97Mn0.03O3 薄膜的制备及多铁性能研究 学 生： 学 号： 院 （系）： 材料科学与工程学院 专 业： 无机非金属材料工程 指导教师： 2014年06月16日Pr和Dy共掺杂BiFe0.97Mn0.03O3薄膜的制备及多铁性能研究 摘 要 BiFeO3(BFO)是一种典型的单相多铁材料，在室温下同时具有铁电性和弱反铁磁性，即同时具有铁电有序和G型反铁磁有序。其居里温度为1103K，尼尔温度为643K，是少数几种在常温下同时具有铁磁性和铁电性的多铁材料之一。 以Bi(NO3)3·5H2O，Fe(NO3)3·9H2O，Dy(NO3)3·6H2O，Pr(NO3)3·6H2O，Sr(NO3)2和C4H6MnO4·4H2O为原料，采用溶胶-凝胶法在FTO/glass基底上制备Bi1-xPrxFeO3、Bi0.85-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3和Bi0.85-xSrxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3薄膜。通过XRD，SEM，Agilent E4980A，TF 2000 Analysis及Agilent B2901A测试对BiFeO3薄膜的物相、微观形貌、介电性、铁电性和漏电流等进行了表征和研究。得出以下结论： 随着Pr掺杂量的增加，Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3薄膜的介电常数并不呈单调变化的，掺杂量为10%时，薄膜的介电常数最大，达到301，但其漏电流、介电损耗均很大。在100kHz低频下，Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3薄膜的介电损耗约0.1，随频率增大迅速增加至0.5。整个薄膜的漏电流密度较大，x=0.05，0.10时的漏电流密度比x=0.15，x=0.20时的大了约5倍。Pr掺杂15%时，薄膜的电滞回线矩形度好，在1034kV/cm场强下，测得剩余极化值为95.7μС/cm2，矫顽场为320kV/cm。 Bi0.85-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3薄膜的介电性能随着Dy掺杂量的增加呈现出单峰函数趋势，掺杂量增加，介电性能变好，x=0.05时介电常数最大，达到365，而后随着掺杂量增加，性能下降。介电损耗随着测试频率增加而迅速增大，Bi0.80Dy0.05Pr0.15Fe0.97Mn0.03O3薄膜的介电损耗在1MHz频率下达到了1。x=0.04时，薄膜的电滞回线达到饱和，在外加1029kV/cm场强下，剩余极化值为79.7μC/cm2。随着掺杂量的增加，薄膜的电滞回线开始变形，Bi0.81Dy0.04Pr0.15Fe0.97Mn0.03O3的性能最佳。 Bi0.85-xSrxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3薄膜的介电性能随着Sr掺杂浓度的增加而变好。介电常数随掺杂量的增加而增大，但介电损耗亦随之增大。Sr掺杂3%时铁电性能最好，薄膜的电滞回线矩形度很高，同时剩余极化值也较大，在781kV/cm场强下，薄膜的剩余极化值为121.1μC/cm2，矫顽场为341kV/cm。 关键词：BiFeO3薄膜，溶胶-凝胶法，掺杂，铁电性，漏电流 Study on The Multiferroic Properties of The (Pr,Dy,Mn) Co-doped BiFeO3 Thin Films ABSTRACT BiFeO3(BFO) is a typical multiferroic material of single phase, and it was reported to exhibit a canted spin ordering(Neel temperature TN=643K) and ferroelectric ordering(Curie temperature Tc=1103K) with the coexistence of ferroelectricity and antiferromagnetism an room temperature. Bi(NO3)3·5H2O, Fe(NO3)3·9H2O, Dy(NO3)3·6H2O, Pr(NO3)3·6H2O, Sr(NO3)2 and C4H6MnO4·4H2O as raw materials, Bi1-xPrxFe0.97Mn0.03O3, Bi0.85-xDyxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3and Bi0.85-xSrxPr0.15Fe0.97Mn0.03O3 thin films were prepared on FTO/glass substrate by Sol-gel method. The micros