模电课第3章.pptVIP

3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于大功率整流和开关电路中。 2 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 4　二极管的代表符号 D 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 3.2.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压：0.5V 导通电压：0.7V 1.伏安特性 锗二极管2AP15的伏安特性 开启电压：0.1V 导通电压：0.2V 2.温度对二极管伏安特性的影响 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。 二极管的特性对温度很敏感。 – 50 i / mA u / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度增加 3.2.3 二极管的主要参数 1.最大整流电流 IF 二极管长期使用时， 允许流过二极管的最大 正向平均电流。 2.最高反向工作电压UR 二极管工作时允许 外加的最大反向电压。 通常是击穿电压U（BR）的一半。 锗二极管2AP15的伏安特性 3.2.3 二极管的主要参数 3. 反向电流 IR 指二极管未击穿时的 反向电流。IR与温度有关， 越小越好 4.最高工作频率fM 二极管正常工作时 允许通过的交流信号的 最高频率,超过此值, 二极管的单向导电性将不能很好地体现。 锗二极管2AP15的伏安特性 3.2.4 二极管的等效电路 1.伏安特性的折线化及等效电路（实线为折线化）　 理想模型 恒压降模型 折线模型 例3.2.1 电路如图所示，UD=0.7V，试估算开关断开和闭合输出电压UO 。 V1=6V V2=12V D S R Uo D导通 开关断开：断开D D截止 开关闭合：断开D 应用举例 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 Analog Electronics 第3章 半导体二极管及其基本应用电路 本章重点 1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。 本章讨论的问题： 1为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 　当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 3. PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中加反向电压时真的没有电流吗？ 3.1 半导体的基础知识 3.1.1 本征半导体 1.导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、塑料、玻璃、云母和石英等。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。 例如： 当受外界热和光的作用时， 它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 热敏性和光敏性 掺杂性 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 3.1.1　本征半导体结构示意图 2.本征半导体的晶体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 3.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 T ? 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 3.本征半导体中的两种载流子 （动画1-1） （动画1-2） 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体的导电原理 +4 +4 +4 +4 在电场的作用下，一方面，自由电子将产生定向移动，形成电子电流，另一方面，价电子将按一定的方向依次填补空穴，其效果相当于空穴向相反的方向产生定向移动，形成空穴电流，因此，空穴可看作是一种载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 　　空穴可看成带正电的载流子。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电