模电课第5章.pptVIP

5.1.3　场效应管的主要参数 1.直流参数 (1)饱和漏极电流 IDSS对于结型管，在uGS =0情况下产生预夹断时的漏极电流。 (2) 夹断电压 UP 或UGS(off) 对于耗尽型管，是在uDS为一常 量时, iD为规定的微小电流时的uGS值。 (3) 开启电压 UT 或UGS(th)对于增强型管，是在uDS为一常 量时,使iD大于零所需的最小│uGS│值。 (4) 直流输入电阻 RGS等于栅源电压与栅极电流之比。 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 ? 以上， 　　绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 ?。 2.交流参数 (1) 低频跨导 gm (2) 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控　　制作用。 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 Cgs、　　Cgd、Cds。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。　　一般为几个皮法。 3.极限参数 （3）漏极最大允许耗散功率 PDM (2) 漏源击穿电压U(BR)DS （4）栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为　　热能使管子的温度升高。 当漏极电流 iD 急剧上升产生雪崩击穿时的 uDS 。 结型管工作时，栅源间PN结处于反偏状态，使PN结被击穿时的uGS ；MOS管工作时，使绝缘层被击穿时的uGS 。 (1) 最大漏极电流IDM 管子正常工作时漏极电流的上限。 例5.1.1 已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V 例5.4.2 电路如左图所示，其中管子T的输出特性曲线如右图所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V 解： (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态　 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD - iD RD ＝10V (3) uGS＝ui＝10V时， 若工作在恒流区， iD＝ 2.2mA。因而u0＝ 15- 2.2*5 ＝4V 但是， uGS ＝10V时的预夹断电压为 uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V 可见，此时管子工作在可变电阻区 从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 晶体管 场效应管 结构 NPN型、PNP型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 CCCS(β) 电压控制电流源 VCCS(gm) 5.1.4 场效应管与晶体管的比较 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小　　　　　　　　　　　　　　 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和　　　　　　　　　　　　　　　 超大规模集成　　 晶体管 场效应管 1．从场效应管的结构上看，其源极和漏极是对称的，因此源极和漏极可以互换。但有些场效应管在制造时已将衬底引线与源极连在一起，这种场效应管的源极和漏极就不能互换了。 2．场效应管各极间电压的极性应正确接入，结型场效应管的栅-源电压vGS的极性不能接反。 3．当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 4．MOS管的栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很薄，极易击穿。所以栅极不能开路，存放时应将各电极短路。焊接时，电烙铁必须可靠接地，或者断电利用烙铁余热焊接，并