三极管及放大电路教学.ppt

输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例1：试判断三极管的工作状态 例2：用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位，试判断晶体管的类型（为NPN型还是PNP型，硅管还是锗管，分别标上B、E、C。 (4) 共发射极直流电流放大系数 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 共发射极交流电流放大系数? (2) 共基极交流电流放大系数α (1) 共基极直流电流放大系数 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 4.1.4 BJT的主要参数 ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流（穿透电流） 1 对UBEth的影响 温度每升高1oC， UBEth减小2－2.5mv 2 对ICBO的影响 温度每升高10oC， ICBO增大一倍 3 对 的影响 温度每升高1oC， 增大0.5－1％ 最终使IC随温度升高而增大 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 * 本节小结 1.符号 2三极管载流子传输 3电流分配 4输入-输出特性曲线 本节作业 P185：4.1.1 * 第四章 三极管及其 放大电路基础 模拟电路 放大的概念 放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制 放大的基本要求：不失真——放大的前提 VCC 至少一路直流电源供电 4.1 半导体三极管 ◆ BJT的结构简介 ◆ 放大状态下BJT的工作原理 ◆ BJT的V－I特性曲线 ◆ BJT的主要参数 4.1.1晶体管的结构 小功率管 中功率管 大功率管 4.1.1 BJT的结构（以NPN为例） BJT的定义 以NPN型为例。 BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 三极管载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 4.1.1 BJT的结构简介 三极管载流子的传输过程 4.1.1 BJT的结构简介 三极管载流子的传输过程 4.1.1 BJT的结构简介 三极管载流子的传输过程 4.1.1 BJT的结构简介 三极管载流子的传输过程 外部条件：左侧PN结正偏 右侧PN结反偏 三极管的命名 三极管的命名 三极管的命名 发射极 基极 集电极 NPN型半导体三极管的结构示意图 NPN管的电路符号 三极管的命名 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 PNP管的电路符号 三极管的命名 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 三极管的电流分配（以NPN为例） 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 放大状态下BJT中载流子的传输过程 三极管的电流分配 1. 电流关系式 IC= ICN+ ICBO 放大状态下BJT中载流子的传输过程 IE= IEN + IEP ≈ IEN IEN = ICN + IBN 发射极电流： 集电极电流： 2. 系数 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=I