晶体结构缺陷 ppt课件.ppt

习题 习题 * * 要 求：（1）掌握缺陷的形成、类型、缺陷反应式，固溶体的分类、性质及影响因素等； （2）理解硅酸盐材料与缺陷的关系。 重点及难点：缺陷反应式的写法、分析， 各种缺陷浓度的计算 能带理论： 非金属固体 在0K时，导带空，价带满，不导电；当有热能或其他能量时，电子被激发，跃迁至导带中，而在价带中留下空穴，电子和空穴形成了一个附加电场，物质利用电子或空穴导电。 电子导电—— n 型半导体 空穴导电—— p 型半导体 非化学计量缺陷也称电荷缺陷 （1）缺陷符号 缺陷的有效电荷是相对于基质晶体的结点位置而言的， 用“.”、“/”、“×”表示正、负（有效电荷）及电中性。 K＋的空位，对原来结点位置而言，少了一个正电荷， 所以空位带一个有效负电荷。 杂质Ca2+取代Zr4+位置，与原来的Zr4+比，少2个正电荷， 即带2个负有效电荷。 杂质离子Ca2+取代Na+位置,比原来Na+高+1价电荷, 因此与这个位置上应有的+1电价比,缺陷带1个有效正电荷。 杂质离子K+与占据的位置上的原Na+同价，所以不带电荷。 Na+ 在NaCl晶体正常位置上（应是Na+ 占据的点阵位置〕， 不带 有效电荷，也不存在缺陷。 小结 表示 Cl-的空位，对原结点位置而言，少了一个负电荷，所以空位带一个有效正电荷。 计算公式： 有效电荷＝现处类别的既有电荷－完整晶体在同样位置上的电荷 （ 2） 每种缺陷都可以看作是一种物质，离子空位与点阵空位 (h。)也是物质，不是什么都没有。空位是一个零粒子。 试写出下列缺陷方程 练习 填空题 (1) 晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积 ，晶体密度 ；而有Schtty缺陷时，晶体体积 ,晶体密度 。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时， 是主要的；两种离子半径相差大时， 是主要的。 (2) AgBr在适当温度时产生Frankel缺陷时，用缺陷反应表示为 ，[Agi.]= ；在MgO中形成Schtty缺陷时，缺陷反应式为 ， ＝ 。 (3) 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随 Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其 缺陷反应式为 。 (4) 写出缺陷反应式 练习 练习 写出下列缺陷反应式： (1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (2) SrO固溶在Li2O晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (3) Al2O3固溶在MgO晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (4) YF3固溶在CaF2晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (5) CaO固溶在ZrO2晶体中(产生负离子空位，生成置换型SS) 热缺陷浓度的计算 在一定的温度和压力下，使晶体自由能达到最小值平衡态时，并不是一块理想晶体，而是具有一定浓度点缺陷的实际晶体。 空位缺陷浓度的推导： 结论：在任意温度下，晶体总是存在着热平衡台的空位，其浓度随温度的升高而指数式地赠加。 令 N为单位体积中正常格点的总数； Ni为单位体积中可能的间隙位置总数； ni为在单位体积中平衡的间隙离子的数目； nv为在单位体积中平衡的空位数目 在弗仑克尔缺陷中，间隙离子和空位的数量相等，即ni＝nv。如缺陷数目很小，则有ni N、Ni 那么： 根据质量作用定律： 1.弗仑克尔缺陷 则有： 式中： 根据热力学原理，有： —— 弗仑克尔缺陷生成能，J —— 玻尔兹曼常数，1.38×10－23 J / K —— 热力学温度，K 在六方和立方紧密堆积中，n个球体产生n个八面体空隙，如果离子进入的是八面体空隙，则 N≈Ni 那么，弗仑克尔缺陷的浓度为： 平衡常数 根据质量作用定律： 2.肖特基缺陷 当缺陷浓度不大时，nv N 则 肖特基缺陷的浓度为： 例： （1）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6eV，计算2