模拟电路基础 2090901 第一次课.pptVIP

半导体 导电特性、结构、导电机理 PN结 形成过程、伏安特性、电容特性 晶体二极管 伏安特性、器件参数、二极管模型、 常见应用电路分析、认识几类特殊二极管 本征半导体——化学成分纯净的半导体，在物理结构上呈单晶体形态。 本征激发 本征半导体中的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位。 空穴 原子因失去一个价电子而带正电，这个带正电的“空位”叫空穴。 载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使两者同时消失的现象。 * * Chap1 半导体材料及二极管 （含绪论，6学时） ylzhang@ee.uestc.edu.cn 一、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。 教学基本要求 二、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。 三、二极管应用 理解掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。 教学基本要求 概 述 1.1 半导体材料及其特性 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力 将会有显著变化。 在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电 能力会急剧增强。 半导体材料特点→ 物体根据其导电能力（电阻率）分导体、半导体、绝缘体 本征/杂质半导体 ☆ 常用半导体材料 Ⅳ族元素硅（Si）、锗（Ge） III-V族元素的化合物砷化嫁（GaAs） 1.1.1 本征半导体 晶格——在本征Si和Ge单晶中，原子在空间形成排列整齐的空间点阵。 共价键结构 本征激发 本征半导体中的两种载流子 本征浓度 intrinsic semiconductor Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成单晶。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 本征半导体的结构特点 硅和锗的晶体结构 Si和Ge的晶体结构 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在一个正四面体的中心，而与它相连的四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间靠共价键相互作用，其实质是共用一对价电子，形成稳定的晶格结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 1. 半导体的共价键结构 共价键 共用 电子对 +4表示除去价电子后的原子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图1.2 本征激发示意图 2. 本征激发 空穴的“运动” 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。为了区别于自由电子的运动，就把价电子的运动虚拟为空穴运动，且运动方向相反。从这个意义上来说，可将空穴看成一个带正电的粒子。 +4 +4 +4 +4 空穴的迁移相当于正电荷的移动 3. 本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 本征半导体中的两种载流子：自由电子和空穴 不同于导体导电只有一种载流子——自由电子导电，本征半导体中，有两种载流子参与导电。 4. 本征载流子浓度 载流子的动态平衡：在一定温度下，单位时间内本征激发所产生的自由电子-空穴对的数目与复合而消失的自由电子-空穴对的数目相等，就达到了载流子的动态平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。 本征载流子的浓度： （1.1） 本征半导体导电能力取决于其载流子的浓度。温度越高，本征载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。 3.87×1016cm－3K－3/2 （Si） 1.76×1016cm－3K－3/2 （Ge） 1.21 eV （Si） 0.785 eV