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磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究_周继承 190 2007年第2期(38)卷 * 磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究 周继承,郑旭强 (中南大学物理科学与技术学院,湖南长沙410083) 摘 要: 用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度与透射光谱。用J.C.Manifacier提出并由R.Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算,并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙。结果表明:在不同射频功率下制备的薄膜均有较强的蓝紫光吸收特性,在低功率下可制备出表面平整,吸收系数小,光学带隙大的薄膜;退火处理后薄膜的吸收系数减小,光学带隙增大,晶粒向圆形转化且尺寸变大。 关键词: SiC薄膜;射频磁控溅射;表面形貌;光学 特性 中图分类号: TN304.055;TN304.2;TN305.92 文献标识码:A 文章编号:1001-9731(2007)02-0190-03 其溅射气体为纯度99.99%的氩气,衬底为抛光载玻 片。在沉积薄膜前,首先用去离子水清洗基片15min,紧接着分别用丙酮和无水乙醇在超声波清洗机各清洗15min,然后再用去离子水冲洗。当真空度达到1@-3 10Pa后,向真空室冲入氩气,调节气体流量达150ml/min,使室内压强保持在1.0Pa;调节射频功率到预定功率,分别为100、150、210、300W;沉积温度和时间分别为室温和25min。薄膜沉积前为了去除靶材表面的氧化物先进行10min的预溅射,然后移开挡板开始沉积。 用RTP-600M型快速退火炉对部分样品进行了700e/150s的快速热退火。用NT-MDT型原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌;用Alpha-StepIQ型台阶仪测量薄膜厚度;透射光谱用TU-1800型紫外可见光分光光度计测量,测量范围为330~1000nm。 1 引 言 SiC作为一种很有应用前景的半导体材料,以高的禁带宽度,高的击穿场强、高的电子热导率,高的电子迁移率,以及抗辐射能力强,结实耐磨损等物理化学特性特别适合于制作高频、大功率、耐高温器件。SiC [1] 还是蓝光发射和抗腐蚀性能方面的理想材料。然而 [2] 单晶SiC的生长温度过高,高于1200e会使界面处存在大量的空位和缺陷,在较低温度下生长薄膜能有效的避免这些不足,而且拥有在发光二级管、光电晶体 [3] 管、太阳能电池和高温传感器等光电器件方面应用的重要特性。 因此发展低温制备SiC薄膜技术对于SiC器件的实际应用有重大意义。目前,等离子体化学气相沉积(PECVD)、激光辅助沉积(PLD)、磁控溅射(MS)[4]等方法已经用于低温制备SiC薄膜,在这些方法中磁控溅射由于其成本低、沉积速率高、沉积温度低、薄膜的黏附性好等特性得到了广泛的关注和研究。 用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并研究探讨了薄膜的光电特性。 3 结果和讨论 3.1 沉积速率与射频功率的关系 图1给出了沉积速率与射频功率的关系曲线。由图1可知射频功率对沉积速率的影响很显著,当射频功率从100W增加到300W时,沉积速率从5.26nm/min增加到11.77nm/min,且与功率基本呈线形关系,这和文献[5~7]的报道一致。另外射频功率增大时溅射产额增加,使沉积区内粒子密度增加,溅射材料粒子对氩气的散射增强,离子能量在碰撞过程中损失;过高能量的入射离子打入靶内以及衬底的再度溅射都会影响薄膜的沉积速率,故会出现图1 曲线关系。 2 实 验 本实验用直径100mm、厚5mm的纯度为99.99%的烧结SiC为靶,用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜, 图1 沉积速率的射频功率的关系曲线Fig1ThecurveofdepositderatiowithRF-power3.2 SiC薄膜的表面形貌 图2和3是刚沉积的和700e退火后SiC薄膜的 * 基金项目:国家自然科学基金资助项目收到初稿日期:2006-07-28收到修改稿日期:2006-10-17 通讯作者:周继承 : 1963-),男,,, 周继承等:磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究191 AFM图片。由图2、3可知薄膜呈柱状或颗粒状生长,薄膜结构致密,晶粒较为均匀且细小,均呈椭圆状,这和文献[8,9]中的报道一致;退火处理后晶粒尺寸变大,表面粗糙度从3.469nm增大为4.878nm