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基于SPI总线接口FRAM设计
基于SPI总线接口FRAM设计
摘要:文章的研究内容是对数据读取和存储基于SPI总线接口的FRAM设计。文章采用了C8051F系列单片机作为微处理器,存储芯片采用的是FM25V10芯片,并且都具有SPI总线接口,经过多次实验得出的结果是以SPI为总线接口的FRAM设计能够满足其要求,并且传输速度快。
关键词:SPI总线;单片机;总线接口;FRAM设计
中图分类号:TP333 文献标识码:A 文章编号:1009-2374(2013)14-0011-03
随着科技的进步,电子技术的发展,在电子、工程控制、通信等行业内,单片机的应用范围也越来越广,而它的外围芯片接口应用也变得越来越重要。针对于一些记录测控的数据,记录通信的数据,都需要不掉电存储方式,所以不掉电存储也成为了控制系统中不可或缺的一个部分。在存储芯片的发展过程中,有很多产品诞生,如E2PROM或闪速存储作为存储介质,则速度较慢;在实时性要求较高的场合常采用电池支持的SRAM,它既有RAM的读写速度,又有ROM掉电数据不丢失的特性,但是电池支持的SRAM在实际使用过程中数据不可靠,容易丢失,且电池容易受到环境因数的影响;而RAMTRON公司研制的铁电存储成功解决了电池的问题,由于具有几乎无限次数擦写、高速读写、低功耗、数据能掉电保持等特点而广泛地应用在各种控制系统中。本文采用C8051F单片机对FRAM芯片的读写操作,从而完成了对于系统的参数及数据保存功能。
1 C8051F单片机的SPI总线接口
C8051F单片机微处理器具有SPI接口,所以可以和FM25V10直接通过SPI总线进行连接,并且SPI总线的速度完全可以达到要求。SPI总线只需四条线就可以完成MCU与各种外围器件的通讯,分别为:串行时钟线(CSK)、主机输入/从机输出数据线(MISO)、主机输出/从机输入数据线(MOSI)、低电平有效从机选择线(CS)。当SPI工作时,在移位寄存器中的数据逐位从输出引脚(MOSI)输出(高位在前),同时从输入引脚(MISO)接收的数据逐位移到移位寄存器(高位在前)。传输完一个字节之后,该字节便会进入到接收器件的移位寄存器中,这样就可以完成了两个器件之间的数据交换,SPI总线的主机的时钟信号来确保本次传输的同步,当SPI被配置为主器件时,最大??据传输率(位/秒)是系统时钟频率的二分之一。当SPI被配置为从器件时,如果主器件与系统时钟同步发出SCK、NSS和串行输入数据,则全双工操作时的最大数据传输率(位/秒)是系统时钟频率的十分之一。
2 FM25V10的工作原理及其特点
FRAM是靠材料特性来保存数据,这种材料并非磁性材料,所以从原理上讲,磁场对数据是没有影响的,在实际中,电场对数据也没有影响,所以其抗干扰能力强。在复杂环境中可以记录一些重要的数据,由于它的擦写次数多,所以可以记录每一个数据脉冲。
铁电存储器FRAM的特点:(1)具有非易失性,掉电后数据可以保存45年左右;(2)擦写次数很多,5V供电的FRAM的擦写次数多达10000亿次;(3)速度快,串口总线的FRAM的CLK的频率最高可达20M,没有等待写周期,并口的访问速度70ns;(4)功耗较低,静态电流小于10uA,读写电流小于150uA。
电路的工作环境会涉及到强电和弱点之间的转换和一定的电磁干扰,设计选用Ramtron公司的FM系列铁电存储器。
FM25V10为2M位的非易失性铁电随机存储器,结构容量为256K×8位,无限次的读写次数,掉电数据保持10年,写数据无延时,采用快速SPI串行协议,最高速度可以达到40M的总线速度。硬件上有完善的写保护,同时软件也可以进行写保护。工作电压:2.7~3.6V,静态工作电流:5uA。
3 FRAM与C8051F单片机的SPI硬件设计
由于FM25V10与其他的SPI设备一样,可以直接挂在SPI总线接口上,本文采用的是SPI的四线接口,因此需要额外的片选信号NSS,/HOLD和/WP直接连接到高电平上,所以不进行硬件保护操作和暂停操作,硬件连接如图1、单片机相应的端口分配如表1所示。
4 软件流程及其程序的编写
数据存储及读取模块软件的程序设计主要对象是铁电存储器FM25V10,通过对单片机内部集成的A/D采集模块进行数据的采集,并将数据进行实时的存储在铁电存储器FM25V10中,并且在存储结束后将数据读取出来,通过通信模块将数据传输给上位机。
数据的存储及读取过程中是通过SPI总线方式进行传输的,该方式可以有效地对数据进行快速、准确的存储及读取。C8051F单片机中的SPI提供了一个灵活的四线全双工串行总线,SPI所使用的4个信号分别是:MOSI、MISO、SCK、NSS。
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