第3章 单片机芯片结构.pptVIP

51系列单片机内部结构如图所示。 MCS-51单片机组成原理 MCS-51单片机的组成 ： 1. 8位CPU 2. 片内ROM/EPROM、RAM 3. 片内并行 I/O接口 4. 片内16位定时器/计数器 5. 片内中断处理系统 6. 片内全双工串行I/O口 在增强型的52系列单片机中，P1.0、P1.1除为端口线外，还为定时/计数器2的外部引脚 T2和T2EX。 3.6.2．MCS-51单片机中布尔处理机的组成 在MCS-51单片机的内部RAM中，20H～2FH 16个字节单元既可以按字节寻址，也可以由CPU按位直接寻址。这16个单元共有128位，每位有一个位地址，寻址范围为00H～7FH，如表3-7所示。另外，有11个特殊功能寄存器，如累加器A、寄存器B、程序状态字PSW等，既有字节地址，也有位地址，其详细地址如表3-9所示。 在指令系统中，设有位操作指令，与位累加器C和位地址空间结合起来，构成一个完整的布尔处理机。位操作指令有位传送、位清0、位置1、位取“反”、按位“与”、按位“或”及位测试转移等。中央处理器CPU可通过位操作指令对位累加器和位地址空间进行位操作。 小 结 单片机是集CPU、存储器、I/O接口于一体的大规模集成电路芯片。MCS-51系列单片机是目前市场上应用最广泛的单片机机型。 本章重点是单片机的内部结构和存储器结构 可寻址64KB外部数据存储器和64KB外部程序存 储器空间的控制电路。 32条可编程的I/O线（四个8位并行I/O端口）。 一个可编程全双工串行口。 具有两个优先级嵌套中断结构的五个中断源。 单步执行就是通过外来脉冲控制程序的执行，使之达到来一个脉冲就执行一条指令的目的。 而外来脉冲是通过按键产生的，因此单步执行实际上就是按一次键执行一条指令。 3.8.2 单步执行方式 程序执行方式是单片机的基本工作方式。由于复位后PC=0000H，因此程序总是从地址0000H开始。 3.8.4 低功耗方式 80C51有HMOS器件所不具备的两个低功耗运作方式，即休闲和掉电保护方式。图3-13所示为实现这两种方式的内部电路。由图3-13可见：①若PCON中的IDL＝0，则80C51将进入休闲运作方式。在这种方式下，振荡器仍继续运行，但IDL封锁了去CPU的与门。故CPU此时得不到时钟信号，而中断、串行接口和定时器等环节却仍在时钟控制下正常运行。②掉电方式下(PCON中PD＝0)，振荡器冻结。 3.8.3 程序执行方式 在87C51单片机内部设置有4K的EPROM只读存储器，因此也就存在着编程、检查和擦除的问题。 1. EPROM编程 EPROM编程时一般采用4～6MHz的振荡频率。EPROM单元地址由P1口和P2口的P2.0～P2.3输入，写入数据由P0口输入，P2.4～P2.6和接低电平，P2.7接高电平，RST接2.5V高电平，／VDD端平时为TTL高电平，EPROM编程时加+21V电压，ALE/加50ms的低电平编程脉冲。芯片连接与时序如图3-16所示。为了安全可靠，VDD不得超过+21.5V。 2. 程序检查与擦除 3．87C51H单片机加密位的编程 3.8.5 EPROM编程、检查与擦除方式 3.5 存储器分类及配置 3.5.1 程序存储器 3.5.2 数据存储器 总结 80C51单片机在系统上采用了哈佛型，其存储器在物理结构上分程序存储器（ROM） 和数据存储器（RAM）。 有四个物理上相互独立的存储空间 ：其配置如图所示。 60KB 4KB 64KB 片内ROM 片外ROM 片内RAM 片外RAM/I/O口 128B RAM 128B SFR 用户使用的角度上看，80C51存储空间分为3类： ? 片内、片外统一编址0000H～0FFFFH的64K字节的程序存储器地址空间； ? 256字节数据存储器地址空间； ? 64K字节片外数据存储器/I/O口地址空间，地址也从0000H～0FFFFH。 上述三个空间地址是重叠的，即 ?程序存储器中片内外低4K字节地址重叠； ?数据存储器与程序存储器64K地址全部重叠； ?数据存储器中片内外低256个字节地址重叠。 虽然地址重叠，但由于采用了不同的操作指令及控制信号EA、PSEN的选择，因此不会产生混乱。 说明 保留单元： 0000H-0002H（复位后初始化引导程序） 3个 0003H-000AH（外部中断0 ） 8个 00