ch21 晶体的特性与参数.pptx

2.1　晶体管的特性与参数 2.1.1 晶体管的工作原理 2.1.2 晶体管的伏安特性 2.1.3 晶体管的主要参数 一、结构与符号 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 PNP 型 分类 按材料分 硅管、锗管 按结构分 NPN、PNP 按使用频率分 低频管、高频管 按功率分 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ～1 W 大功率管 1 W 二、电流放大原理 1. 晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 输入 回路 输出 回路 IE IB IC 发射结正偏 集电结反偏 UCB0集电结反偏 + - UBE0发射结正偏 2.晶体管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 　　以小电流（IB）控制大电流（IC）的作用，称为晶体管的电流放大作用。 晶体管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) I CBO IB IBN  IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 集电区少子漂移(ICBO) 考虑到集电结反向饱和电流ICBO的影响： IE = IC + IB 穿透电流 一、输入特性曲线 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6  0.8) V 锗管： (0.2  0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V 二、输出特性曲线 3. 截止区： IB  0 IC = ICEO  0 条件：两个结反偏 1. 放大区： 2. 饱和区： uCE  u BE uCB = uCE  u BE  0 条件：两个结正偏 特点：IC   IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(sat)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 ICEO 三、PNP晶体管的伏安特性曲线 一、电流放大系数 共发射极电流放大系数 — 直流电流放大系数  — 交流电流放大系数 一般为几十  几百 Q 二、极间反向饱和电流 CB 极间反向饱和电流 ICBO， CE 极间反向饱和电流 ICEO。 三、极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时  值明显降低。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC  uCE。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO (讨论)已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC mA 当 UCE = 1 V，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE V 10 20 20 四、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1C，UBE  (2  2.5) mV。 温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 T1 T2 温度每升高 1C， (0.5  1)%。 输出特性曲线间距增大。 O