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可控硅在DX中波发射机中应用及维护 　　摘要：可控硅应用非常广泛，该文详细介绍了可控硅工作原理，使用可控硅时的注意事项，及在DX中波发射机中的应用，对可控硅的保护电路和维护经验进行了总结。 　　关键词：可控硅；发射机；应用；维护 　　中图分类号：TP3 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2013）05-1175-02 　　1 概述 　　可控硅又叫晶闸管，是目前工业中实现大容量功率变换和功率控制的主要电力半导体器体，是一种大功率四层（PNPN）三端（A，K，G）半导体器件，既有单向导电的整流作用，又有可以控制的开关作用。由于可控硅具有诸多优点，它被哈里斯公司作为大功率整流器件应用于DX发射机中。该文将详细介绍可控硅的工作原理及其在DX发射机中的应用和维护。 　　2 可控硅工作原理 　　2.1可控硅的结构 　　可控硅从外型上来分有螺栓形，平板形和模块形三种。额定电流小于200A的单个可控硅采用螺栓型，大于200A的单个可控硅采用平板型。DX-200型发射机在载波状态下流过250V整流器件的电流有效值就达到600A，必须用平板形可控硅，整个桥式整流结构只要六支可控硅即可。因为电流很大，必须在阴极和阳极上安装散热片，并且用强制风冷或水冷带走散热片上的热量。 　　2.2可控硅的工作原理 　　可控硅内部结构如图1所示，它具有P-N-P-N四层结构，有J1、J2、J3三个PN结。P1区引出阳极（A），N2区引出阴极（K），P2区引出门极（个）。其内部电路可以等效为两个互补的晶体管，如图1d所示。 　　在正常情况下，可控硅导通必须满足两个条件，缺一不可： 　　1） 可控硅必须加正向电压（阳极电位高于阴极电位）。 　　2） 加上适当的正向门极电压（门极电位高于阴及电位）。 　　可控硅只能用门极控制其导通，不能控制其关断，一旦导通，门极就失去控制作用，故可控硅为半控型器件，也正因为如此，可控硅导通的门极控制信号只要是正向脉件电压就可以了，称为触发电压或触发脉冲。要使已导通的可控硅关断，先将门极电流去掉，再使阳极电流减小到某一电流值以下就可以了。能保持可控硅导通的最小电流称为维持电流IH. 　　2.3 使用可控硅时注意事项 　　1） ??定电压：可控硅实际工作时承受的正常峰值电压应低于额定电压，并留有2～3倍的余量，要有可靠的过电压保护措施。 　　2） 额定电流：可控硅实际通过的最大平均电流应低于额定平均电流，并还应有1.5～2倍的余量及过电流的保护措施。 　　3） du/dt和di/dt：在实际线路中，应采取措施限制电压和电流上升率使其不超过规定的临界数值。 　　3 可控硅在DX中波发射机中的应用 　　3.1概述 　　可控硅体积小、功率容量大、效率高、导通角可控，所以被它被哈里斯公司作为大功率整流器件应用于DX发射机+250V整流器中。其电路形式为三相桥式相控整流电路中的全控整流电路。 　　3.2 三相桥式全控整流电路 　　3.2.1 整流工作原理 　　DX-200型中波发射机应用的三相桥式可控硅整流电路由六个可控硅组成，实质上是一组共阳极和一组共阴极三相半波电路的串连。电路图如图2所示。 　　图2 三相桥式可控硅整流电路 　　从可控硅阳极和阴极之间开始承受正向电压起，到门极加上触发脉冲这一电角度称为控制角α，可控硅导通的电角度称为导通角θ。 　　三相桥式全控整流电路桥臂中六个管子都是可控硅，接a相的可控硅标为Q1和Q2，接b相的可控硅标为Q3和Q4，接c相的可控硅标为Q5和Q6，其中：Q1、Q3、Q5组成共阴极组，Q2、Q4、Q6共阳极组。当α=0时，六个可控硅导通角为120°，这时整流电路等同于普通的三相桥式二极管整流，如果把一个周期分为6段，则每段中相应可控硅导电情况如下： 　　当Q1、Q4导通时，输出Uo=Uab； 　　当Q1、Q6导通时，输出Uo=Uac； 　　当Q3、Q6导通时，输出Uo=Ubc； 　　当Q3、Q2导通时，输出Uo=Uba； 　　当Q5、Q2导通时，输出Uo=Uca； 　　当Q5、Q4导通时，输出Uo=Ucb. 　　当控制角α 0°时，每个可控硅都不在自然换相点换相，而是从自然换相点向后移α角开始换相，导通角θ小于120°，整流输出电压就受到控制角α的控制。 　　3.2.2 整流输出电压 　　三相桥式全控的整流电压在一个周期脉动6次，脉运频率为6×50 Hz=300Hz，比三相半波时大一倍。对于电感性负载，整流输出电压的平均值为： 　　Uo=[1π3π3+α2π3+α6U2sin（ωt）d（ωt）=2.34U2cosα] 　　式中：U2为变压器二次侧相电压有效值。 　　从上式也可看到：三相桥式可控硅整流输出电压可以在一定得范围