第二章 射线衍射原理.ppt

小晶体衍射强度 两晶胞散射波的位相差： 小晶体内任意晶胞的散射波 小晶体衍射强度 小晶体散射波 返回 小晶体衍射强度 G1、G2、G3为等比级数求和式，按前n项和公式 代入得， 小晶体衍射强度 定义|G|2=|G1|2|G2|2|G3|2为干涉函数。有 小晶体衍射强度 2、小晶体衍射强度及干涉函数|G|2的物理意义 小晶体衍射强度: 其中，|G|2称为形状因子。 小晶体衍射强度 干涉函数|G|2曲线如图示，为N1=5的|G1|2曲线。 ① 曲线由强度很高的主峰和强度很弱的副峰组成。 小晶体衍射强度 ② 主峰强度最大值（罗必塔法则）为|G1|2max=N12，对应ψ1取整数Hπ，主峰有强度范围H π ±（π /N1）。同理|G2|2max=N22， ψ2 =K π ；|G3|2max=N32， ψ3 =L π 。 |G2|2、 |G3|2主峰有强度 范围为K π ±（π /N2）和L π ±（π /N3）。 ③ |G1|2主峰下面积和主峰高度与底宽乘积 成比例。参与的晶粒数目越多，底宽越窄，强度越大。 小晶体衍射强度 主峰最大值|G|max2=|G1|max2|G2|max2|G3|max2，对应位置ψ1 =Hπ ，ψ2 =K π ，ψ2 =Lπ。 主峰有强度值范围： ψ1 = H π ±（π /N1）， ψ2 = K π ±（π /N2）， ψ3 = L π ±（π /N3）。 按ψ1 =1/2a·k，ψ1 =1/2b·k，ψ1 =1/2c·k，k=2π/λ(S-S0)，可得主峰强度极大值对应位置 “衍射方向”即晶体衍射强度主峰最大值对应位置。 返回 一个原子的散射强度 2.3.2 一个原子的散射强度 ⑴ 理想状态 若核外电子集中于一点，原子的散射就是核外电子散射强度的总和，即 一个原子的散射强度 ⑵ 一般情况 X射线波长与原子直径在同一数量级，核外电子不能认为集中于一点。如图示：设任意两电子O、G，其散射线光程差δ=Gn-Om=r·S- r·S0= r·（S-S0 ），其位向差 ，经代换后，得： 设ρ（r）是原子中 电子分布密度，则 原子中所有电子散 射波合成振幅为 一个原子的散射强度 Aa=Ae∫vρ（v）eiφdv Aa—原子散射波合成振幅； Ae—一个电子散射波振幅； dv—位矢端体积元。 定义 f 为原子散射因子，有 假定电子呈球形分布，则径向分布函数U（r）= 4πr2ρ（r）,代入积分可得： 一个原子的散射强度 可以看出 f 为K的函数，而 ，所以 f 是 函数，图2-13给出了f 与 关系曲线。 当θ=0， f=Z ，表明，当入射线和散射线同向时，Aa=ZAe，相当于核外电子集中于一点； 一般情况下， Aa=fAe （f＜Z ）； 一个原子对X射线的散射强度为 ： 返回 布拉格方程 θ θ d θ θ * X射线衍射理论所要解决的中心问题——在衍射现象与晶体结构之间建立起定性和定量的关系。 * 1、gHKL*的基本性质确切表达了它与（HKL）的一一对应关系： 1）一个gHKL*与一组（HKL）对应， gHKL*的方向和 大小分别表达了（HKL）在正点阵中的方位和晶面间距； 2）（HKL）决定了gHKL*的大小和方向。 2、gHKL*的基本性质建立了作为gHKL*终点的倒易阵点与（HKL）的对应关系： 1）正点阵中每一个（HKL）对应着一个倒易点，该点在倒易空间中的坐标即为HKL； 2）一个阵点指数为HKL的倒易点对应着正点阵中一组（HKL）面，（HKL）的方位和间距都由该倒易点相应的gHKL*决定。 * 如图示为布拉格实验装置，以CuKα线照射NaCl晶体，实验得到“选择反射”的结果，即当入射线以某些特定角度（θ=15°，32°）入射时，记录到反射线，其他角度入射时，则无反射线。 * * （3）换句话说，原子面对于X射线的反射并不是任意的，只有当λ、d、 θ三者之间满足布拉格方程时才能发生衍射。 衍射方向理论反映了晶胞的形状好大小， * * 布拉格方程是衍射方向的代数表达式，在解决一些复杂衍射问题上不够直观。如果将布拉格方程换成几何表达式来表示衍射方向，即用衍射几何来表述衍射方向，就可以很直观地反映衍射方向，这两者的统一就是衍射矢量方程。其实质为布拉格方程的矢量表达。 * 要回答这个问题，我们可以借助于布拉格方程，但需要一一把数据代入进行计算，有没有一种更为直观的方法来求解这个问题呢？答案就是厄瓦尔德图解！ X射线衍射强度涉及因素很多，问题比较复杂，一般从基元散射，即一个电子