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- 2018-06-28 发布于上海
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第05 存储器原理与接口
六、 现代内存芯片技术 1、 静态RAM 同步SRAM 在统一时钟的控制下同步操作,一般支持突发操作 FIFO 先进先出 Multi-SRAM 具有多数据端口 非挥发 SRAM(NV SRAM) 静态加后备电源 类SRAM 用动态RAM,内部加刷新电路 2、 动态RAM FPM DRAM 快速操作时维持地址不变,由连续的CAS#信号对不同的列地址进行操作; EDO DRAM 省略了用于行地址建立和保持的时间以及行、列地址复合时间,以提高访问速度; SDRAM 针对存储器访问的所有操作(地址译码、数据的读出或写入等)均在统一时钟的控制下同步进行; RDRAM (突发存取的高速动态随机存储器)采用Rambus信号标准,允许多个设备同时以高速的带宽随机寻址存储器,进行高速数据传输。 DRAM内存条的种类 SIMM——Single Inline Memory Module 单列直插式内存模块 72线:32位数据、12位行列公用地址、RAS#、CAS#等 在Pentium微型机中必须成对使用 DIMM——Dual Inline Memory Module 双列直插式内存模块 168线:64位数据、14位行列公用地址、RAS#、CAS#等 可单数使用 一、 存储器分类 按构成存储器的器件和存储介质分类 半导体存储器
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