理学安培定律4.pptVIP

§6.5 静电场的能量 能量密度 P29:二.计算题 解： 三. 判断改错题 (1) 正确． (2) 介质内场强与原来一样． (3) 电场能量增大为原来的 倍． * 方法一：电容器的联接 电容器2和3串联，再和电容器1并联。 再跟１并联： 电容器1、2、3的电容分别是 电容器2和3的串联电容为C23： 补充： 如图所示，一平板电容器中充以三种电介质。以知极板面积为S，求其电容。 1 2 3 * 比较等效电容的 、 1、 将两电容器串联、并联，分别充电到 、 * R * R * 磁聚焦 在均匀磁场中点 A 发射一束初速度相差不大的带电粒子, 它们的 与 之间的夹角 不同 , 但都较小,这些粒子沿半径不同的螺旋线运动, 因螺距近似相等, 相交于屏上同一点, 此现象称为磁聚焦 . 应用 电子光学 , 电子显微镜等 . * 11.5 载流导线在磁场中所受的力 + v dl n s × × × × × V是指粒子作定向 运动的方向. 一、 安培力 Ⅰ、带电粒子在磁场中所受的 洛仑兹力: Ⅱ、所有粒子受力的宏观表现： * 安培定律——电流元在磁场中受力的规律 安培力: 大小: 方向判断: 右手螺旋 载流导线受到的磁力: a * 二、均匀磁场中载流直导线所受安培力 取电流元 方向 B * 结论： * 此段载流导线受的磁力。 在电流上任取电流元 x y O A I × × × × L 在均匀磁场 B 中放置一任意形状的导线，电流强度为I 求 解 若将电流补成闭合回路，可证闭合线圈在匀强磁场中受力为零 整个弯曲导线受的磁场力的总和等于从起点到终点连的直导线通过相同的电流时受的磁场力。 2、任意形状闭合载流线圈在均匀磁场中所受力 练习 1、如图 均匀磁场中求半圆导线所受安培力 方向竖直向上 合磁力为零 * 三、*非均匀磁场中载流导线所受安培力 Idx df x L d b a 解：如图取微元 方向：竖直向上 如图：求导线ab所受安培力，直 导线ab垂直于长直导线 已知： 求：导线ab所受的安培力 方向垂直板面向里。 * B C A 练习：如图，无限长直载流导线与正三角形载流线圈在同一平面内，若长直导线固定不动，则载流三角形线圈将 [ ] （A）向着长直导线平移 （B）离开长直导线平移 （C）转动 （D）不动 A 无限长直导线产生的磁感应强度为： 若在均匀磁场中？ * 四、霍耳效应 * (1) 什么是霍耳效应？ 厚度d,宽为 导电薄片，沿x轴通有电流强度 I，当 在y轴方向加以匀强磁场B时，在导电薄片两侧 产生一电位差 ，这一现象称为霍耳效应 K:霍耳系数，它是 和材料的性质有关 的常数 实验发现： * (2) 霍耳效应的微观机理 设导电薄片的载流子（参与导电的带电粒子）电量为 q, q受力为： 方向：沿Z轴正向 大小 ： (1)如果q0,其定向速度 + + + + + + + + + + + + 因为 有 作用， 侧堆积正电荷， 侧出现负电荷 所以产生 的电场 指向 * 大 小： 方向：向下 当 时， 1、载流子将沿x方向作匀速直线运动， 两侧停止电荷的继续堆积 ， 两侧建立一个稳定的电势差 大小： 方向：向上 将产生什么结果？ V + + + + + + + + * (2)如果q0,其定向速度 与电流方向反向。 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + * 与前面的分析方法相同，仍然可得： 讨论 霍尔电势差的正负与导体中的载流子正负有关； * （3）霍耳效应的应用 1）根据霍耳系数的正负确定半导体的类型： n型半导体载流子为电子，而p型半导体载流子为带正电的空穴。 总 结 (1) q0时，K0, (2) q0时，K0, 2）根据霍耳系数大小测定，可以确定载流子的浓度。 3）利用霍耳效应测量磁场的强度；或测量电流强度。 * 作 业 P44:一.2,3；二.2。 P45:一.3,4,5。 * 真空中的磁场 电流的磁场 磁场对电流的作用 磁场的描述 电流元的磁场 毕--萨定律 载流导线的磁场 运动电荷的磁场 基本方程 1、高斯定理 2、安培环路 定理 磁 感 应 线 磁感应 强度 磁通量 磁场 对电流元的 作用 安培定理 磁场 对载流 导体的 作用