第5章-主存储器.pptVIP

ROM分类 固定掩膜MROM 只能读，不能修改。 可改写一次的PROM 只能修改一次，修改后只读。 可改写多次的EPROM 光擦除电可编程只读存储器， 电擦除电可编程只读存储器E2PROM： 快擦写存储器Flash Memory。 5.5 半导体只读存储器与芯片 应用场合 ·常数存储器：倒数、函数值、汉字库、字符库等 ·代码转换器：(各设备间)代码转换表、键盘位置码与键的代码转换表 ·游戏卡 注意:上述三种应用通常由MROM实现 ·控制存储器CM（PROM） · BIOS 可多次改写 1.MROM 依用户要求，由厂家用掩膜这道工序，实现信息写入。制造完成后，不能再改变的只读存储器。 特点 ： 结构简单、集成度高、价格便宜 宜于标准化和大批量生产 使用不灵活、一经生产成成品，则无法修改 2.PROM 全“1”熔断丝型 写“1”：不通入电流，保持原态； 写“0”：通入足够大的电流，熔断电阻性的连线Rf，使之开路，写入“0”； 只读：加电压，管T通导有电流，读出“1”；管T不通导，无电流，读出“0”； PROM特点： 熔断丝型的PROM为主流（全0的肖特基型）； 可根据需要编程一次，但熔断丝熔断后信息不能改变，PROM原则上无法修改； 对改写电流和工作电流有一定的要求； *存储元状态：常用浮栅雪崩注入MOS管(即FAMOS管)的浮栅FG是/否带电荷表示“1”/“0”； D S P基体 N 源极S 漏极D SiO2 N 浮栅FG P基体 N 源极S 漏极D SiO2 N 浮栅FG －－－－ ＋＋＋＋ *擦除：用紫外线照射10～20分钟(FG上电子获得光子能量→穿过SiO2层→与基体电荷中和)→整个芯片一起擦除 3、 EPROM ?EPROM的缺点： ?不能在线擦除和编程 ?不能对单个存储单元擦除，只能以片为单位擦除。 ?芯片封装麻烦，需留透明石英窗口，以便紫外线擦除 ?编程后，还须用不透明物体覆盖石英窗口，以免芯片存储的信息由于光照局部被擦除 4、EEPROM 编程序原理与FPROM相同，但擦除原理不同，重复改写的次数有限制（因氧化层被磨损），一般为10万次。其读写操作可按每个位或每个字节进行，EEPROM其栅极氧化层比EPROM薄，因此具有电擦除功能 5、FLASH 该类存储器集中了EPROM和E2PROM的优点。 优点： 存储位为单管结构、尺寸小、集成度高、功耗低、不需要高压编程； 可在线片擦除或块擦除，可单地址编程； 主要用途： 适用于在线编程的大容量、高密度存储领域 作为外设得到广泛应用 5.6 主存储器的设计与应用 5.6.1 主存储器设计的基本原则 5.6.2 主存储器的逻辑设计 5.6.3 主存储器与CPU的连接（略） 单元的位数与其数据线数相对应： 10 位地址， 1024 单元 8 位地址， 256单元 　当CS （或CE） =0时，芯片被选中 　当CS （或CE） = 1时，芯片被封锁 芯片单元数与地址线数相对应 存储容量＝1024×8=8K 位＝1K字节 8根数据线 关键——三总线的连接 控制线：片选，读/写控制信号等 利用半导体存储芯片和其它逻辑芯片，构成所需求的存储器的过程。 5.6 主存储器的设计与应用 存储器的逻辑设计 存储容量的扩展（重要） 位扩展（并联） 存储芯片（4k×4位/片）构成存储器（4k×8位） 字扩展（串联） 存储芯片（4k×4位/片）构成存储器（16k×4位） 字位同时扩展 存储芯片（4k×4位）构成存储器（16k×8位） 存储容量的扩展 位扩展 特点：存储单元个数不变，字长加长；给出地址后，所有芯片均工作。 例如：由16K×8位的芯片组装成16K×32位存储器需要：?32/8?＝4（片）； 位扩展（16K*4bit 扩展成16K*8bit） 存储容量的扩展 字扩展 特点：存储单元个数增加，字长不变；给出地址后，选中芯片工作。 例如：由32K×8位的芯片组装成128K×8位存储器需要：?128K/32K?＝4（片）； 字扩展(16K*8bit的芯片搭建64K*8bit的存储器) 存储容量的扩展 字、位同时扩展 特点：存储单元个数，字长同时增加，给出地址，同行芯片工作。 例如：由16K×4位的芯片组装成128K×32位存储器需