江苏大学半导体物理第2章.pptxVIP

第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2·1 硅、锗晶体中的杂质能级 §2·2 III-V族化合物中的杂质能级 *§2·3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 §2·4 缺陷、位错能级 根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，分清浅能级杂质和深能级杂质的性质和作用；了解缺陷、位错能级的特点和作用。 原子并非在格点上固定不动 杂质的存在 ™ 工艺流程中引入； ™ 人为掺杂； ™ 温度的影响，等等。 缺陷 ™ 点缺陷（空位，间隙原子、反结构缺陷） ™ 线缺陷（位错：刃形位错和螺形位错） ™ 面缺陷（层错，晶粒间界） 实际晶体与理想晶体的区别 §2·1 硅、锗晶体中的杂质能级 替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质 杂质原子的大小及物化性质（电负性）与晶体原子相似 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子远小于晶体原子 杂质浓度：单位体积内的杂质原子数 在理想晶格中，原子严格周期性排列，允带电子能量状态形成一系列能带，而允带之间的禁带不存在电子状态。 由于杂质和缺陷的存在，使晶格周期性势场遭到局部破坏。缺陷处的电子能级受到微扰，将向上（正微扰）或向下（负微扰）偏移而进入禁带中，其他能级保持不变。 由于点缺陷或位错等缺陷引起局部微扰，在禁带中引入的定域能级称之为缺陷能级。 如果微扰浓度很小（杂质原子少，无相互作用），则缺陷能级是孤立的；如果微扰浓度足够大（杂质原子很多，有相互作用），则缺陷能级也将分裂而形成能带（杂质原子上的电子做共有化运动）。 缺陷能级的产生 §2·1 硅、锗晶体中的杂质能级 施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 施主电离 施主杂质释放电子的过程。 施主能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态，记为ED，施主电离能量为ΔED n型半导体 主要依靠导带电子导电的半导体。 §2·1 硅、锗晶体中的杂质能级 施主杂质、施主能级 A Semiconductor Doped with Donor Impurities A Semiconductor Doped with Donor Impurities 受主杂质 III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p型杂质。 受主电离 受主杂质释放空穴的过程。 受主能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态，记为EA。受主电离能量为ΔEA p型半导体 主要依靠价带空穴导电的半导体。 受主杂质、受主能级 A Semiconductor Doped with Acceptor Impurities A Semiconductor Doped with Acceptor Impurities 产生的施主能级距离导带底远，产生的受主能级距离价带顶远，这样的能级称为深能级；反之，称为浅能级。 产生深（浅）能级的杂质称为深（浅）能级杂质。 深能级杂质一般含量少，电离能大，对半导体导电类型和载流子数量没有浅能级杂质显著。 浅能级（杂质）、深能级（杂质） 类氢模型 氢原子中电子能量 浅能级杂质电离能简单计算 n=1, 2, 3……，为主量子数，当n=1和无穷时 氢原子基态电子的电离能 （基态能量） 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，故有 施主杂质电离能 受主杂质电离能 ™当NDNA时 ™ n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 ™ 当NDNA时 ™ p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 ™ 当ND≈NA时 ™ 高度补偿半导体 ™ 有效杂质浓度 ™ 经过补偿后半导体中的净杂质浓度。 杂质的补偿作用 半导体内同时含有施主杂质和受主杂质，施主和受主在导电性能上有相互抵消的作用，通常称之为杂质的补偿作用。 ND-NA有效施主浓度 NA-ND有效受主浓度 当NDNA时 当NDNA时 当NDNA时 当NDNA时 利用杂质的补偿作用，根据扩散或离子注入的方法来改变半导体某一区域的导电类型，制成各种器件。 在一块n型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，优于杂质的补偿作用就成为p型半导体。 杂质的补偿作用的应用 非III、V族元素在硅、鍺的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称之为深能级杂质。 特点 ™多为替位式杂质 ™不容易电离，对载流子浓度影响不大。 ™深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 深能级杂质 两性杂质 两性杂质是指在半导体中既可以作施主又可以作受主的杂质。 如III-V族GaAs中掺IV族Si 如果Si替位III族