非极性氮化镓磊晶.docVIP

非極性氮化鎵磊晶 現今商業化之藍綠光發光二極體元件主要由三五族氮化物為主，但受限於材料之成長方向與結構所構成的極性特質，致使電光轉換效率仍然不足。而非極性三五族氮化物材料除了將有助於電光轉換效率之提高以增加元件之發光效率之外，非極性材料放射之光源亦具有偏振光之特性，將有利於光電元件之應用。? 隨著近年來LED的蓬勃發展，但目前LED在照明應用上仍不足以取代日光燈，傳統藍綠光LED主要是以GaN材料為主，GaN系的材料結構為六角柱結構(hexagonal)，故單一晶粒具有極性，目前商業化的藍綠光LED均將GaN等材料成長於c-plane的藍寶石基板，而這樣子的成長方式與結構會產生一個問題，沿著載子流動的方向會因為原子電荷的不對稱而產生內建電場，此內建電場的成因有二：(1)主要為結構中三、五族原子所帶的電荷不同；(2)由於材料與基板本身的晶格不匹配所造成的壓電場效應所致，此特性稱之為史坦克效應(Quantum Confine Stark Effect, QCSE)。QCSE會使得量子井能帶結構產生歪斜，進而影響電子、電洞波函數的重疊機率降低，使得發光效率減弱，如圖一所示。我們在底下將對非極性a-plane及m-plane氮化物相關的研究作個簡單的介紹。 ? 1997年在成長於c-plane藍寶石基板的 LED商業化正逐漸起步之時，日本Fujitsu實驗室的Domen等人利用MBE成長m-plane GaN於SiC上，並探討該材料的光學特性及偏振性，如下圖一所示，在不同的偏振片角度下，m-plane GaN會產生強弱不同且的PL光譜，主要是因為價帶分裂後，不同能帶下具有不同數量的載子躍遷所致。 ? ? ? 圖一、於極性氮化物不同厚度下之量子井中，由QCSE所造成之能帶傾斜現象。 ? ? ? ?圖二、在不同的偏振片角度量測下的m-plane GaN PL光譜及強度對夾角的比較。 (Appl. Phys. Lett., 71, 1996, 1997) ?? ? 2000年K. H. Ploog等人在Nature上發表了將m-plane GaN 成長在r-LiAlO2的基板，圖二左所示為成長在不同基板上晶格關係的比較，除了利用X光繞射儀及PL量測基本的結構與光學特性外，更利用了時間解析光致激發光譜來量測m-plane GaN的生命期，發現了其復合時間和原先具有內建電場的c-plane GaN的5.8ns相比，大量減少至0.45ns，如圖二右所示。且由於m-plane並無內建電場，因此可以預期利用這樣子的材料作為高效率白光LED之用。同年，該group進一步針對利用MBE所成長的m-plane GaN/AlGaN量子井進行偏振光的實驗，並利用Raman光譜探討其各個方向上入射光與晶格振盪交互作用的情型，更確認m-plane所成長的量子井結構所發出來的光亦具有偏振光的特性，由圖三左圖可以知道，在電場垂直c-axis時會有最強的強度產生。隔年，他們利用AFM掃描m-plane量子井的表面，發現表面呈現許多平行的條紋狀，如圖三右圖所示，並將這幾個結果發表在Applied Physics Letter及Journal of Crystal Growth上。 ? ? ? ? 圖三、左圖為c-plane 與m-plane GaN成長在SiC及r-LiAlO2的情型；右圖為兩種GaN的PL及TRPL實驗結果。(Nature, 406, 865, 2000) ? ?? ? ? 圖四、左圖為m-plane GaN/AlGaN量子井輻射示意圖；右圖為量子井表面的AFM影像。(Appl. Phys. Lett., 77, 3343, 2000/ J. Crys. Grow., 227-228, 437, 2001) ? ?? ??? 2002年美國UCSB的DenBaars及Speck等人開始投入non-polar材料的發展，利用MOCVD首次成長了a-plane GaN薄膜於r-plane 藍寶石基板，並利用TEM及AFM分析薄膜品質，發現a-plane GaN的螺旋差排(Treading Dislocations, TDs)竟高達了2.6×1010cm-1，且亦有大量的疊差產生，而正常成長的c-plane GaN則只有107~108數量級的差排數量，此外AFM的結果顯示表面十分不平整，由於有大量的差排穿遂至表面造成有許多的坑洞分佈，TEM及AFM如圖四所示，由於大量的缺陷捕獲可發光的載子，因此這樣子的薄膜品質很難具有良好的發光效率，即使理論上non-polar的特性相較c-plane而言具有較佳的電子電洞復合率。 ? ??? ?? 圖五、左右圖分別為a-plane GaN成長於r-plane 藍寶石基板上，側面的TEM及表面的AFM影像。(Appl. Phy