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电流镜分析 有源电阻 电流镜 叠接式电流镜 威尔森电流镜 修整型威尔森电流镜 1.有源电阻 将NMOS的漏极与栅极短路，可以构成以有源电阻，设NMOS的（W/L）=20/2 。 可以写一段SPICE程序来执行VBS=0V 和-2V时(如图所示)NMOS元件的Id-Vdd特性曲线， 并可以估算在Id=1m下它们的直流电阻（Rdc）与动态电阻（rac）。 直流电阻（Rdc）=Vdd/Id; 动态电阻（rac）= ΔVdd/ΔId。 在集成电路中，大电阻器所占的面积远大于晶体管。因 此利用晶体管做成负载来代替电阻，使得电路的密度更高， 来降低成本。这种负载便称为“有源负载”。NMOS的源漏短 接，可构成一有源电阻。因Vds=VgsVgs-Vth，故此NMOS 工作在饱和区。 Hspice程序 Vbs=0v When Id=1.01mA,VDD=3.18V 直流电阻=Vdd/Id=3.18/1.01=3.15KΩ Vbs=-2v When Id=1.00mA,VDD=3.58V 直流电阻=Vdd/Id=3.58/1=3. 58KΩ 2.电流镜 利用前面讨论的二极管连接形 式NMOS特性，构建一如图所 示的电流镜电路，只要能维持 M2工作在饱和区，就可以得到 Id2~Id1的电流输出。 下面用一段SPICE程序来执 行M2在ID1=1mA和2mA条件下 Id-Vdd特性曲线，并估算在Id~ 1mA和2mA下，M2的直流电阻 与动态电阻。 HSPICE模拟 3.叠接结构的电流镜 与上图比较，右图直接以一直流电流源给叠接结构的电流镜提供电流。 可以利用同样方法对这种结构的电流镜进行分析。 HSPICE模拟 4.威尔森电流镜 右图即所谓的威尔森电流镜。用SPICE程序，分析输出端在Idc为1mA和2mA条件下的I(M6) VS Vdd的特征曲线， 并估算Idc为1mA和2mA下，输出端所得到的直流电阻与动态电阻。 HSPICE模拟 5.修整型威尔森电流镜 威尔森电流镜的缺点：Vds1=Vds2+Vgs3Vds2 M1有较强的沟道长度调制效应，故Io/Idc比值将不同于M1与M2的几何比值，使得设计上Io出现误差。 改进方法：在M1上串接一晶体管M4，以减少沟道长度调制效应的干扰，并提升输出电阻的值。 这样Vds间的关系是Vds1+Vgs4=Vds2+Vgs3 然而这种结构也是有缺点的：由于有两层 MOSFET串叠，使得负载的电压变动范围减小! Hspice仿真结果 Hspice输出网表截图 * SPICE仿真连接图 ΔVdd/ΔId =(3.8-3.6)/(1.2201-1.0199)m =999.00Ω ΔVdd/ΔId =(3.4-3.2)/(1.2303-1.0300)m =998.50Ω 动态电阻 Vdd/Id=3.6v/1.0199m=3. 53KΩ Vdd/Id=3.2v/1.03m=3. 11KΩ 直流电阻 .LIS输出文档 J截图 分析 模拟结果如下图所示 ΔVdd/ΔId =(3.7-3.5)/(2.0100-2.0025)m =26.67KΩ ΔVdd/ΔId =(2.3-2.1)/(1.0117-1.0058)m =33.90KΩ 动态电阻 Vdd/Id=3.5v/2.0562m=1.75KΩ Vdd/Id=2.1v/1.0058m=2.09KΩ 直流电阻 .LIS输出文档 截图 Id2=2mA Id1=1mA 分析 M1 M4 M3 M2 模拟结果如下图所示 ΔVdd/ΔId =5.0-4.8)/(1.9755-1.9714)m =48.78KΩ ΔVdd/ΔId =(5.0-4.8)/(998.9659-998.2605)m =283.53KΩ 动态电阻 Vdd/Id=5.0v/1.9755m=2.53KΩ Vdd/Id=5.0v/998.9659m=5.01KΩ 直流电阻 .LIS输出文档 截图 Idc=2mA Idc=1mA 分析 M1 M2 M3 模拟结果如下图所示 Hspice 输出网表如下据此可算出直流电阻及动态电阻 可由此算出 Hspice 输出网表如下据此可算出直流电阻及动态电阻 同理可由此算出 电路结构 HSPICE程序 * * *