《LED芯片工艺》PPT课件.pptVIP

蓝光LED芯片工艺 外延片清洗 有机物 金属离子 MQW P-GaN AL2O3 N-GaN MQW P-GaN Al2O3 N-GaN 蒸镀ITO ITO为透明电极，可以起到一个增加电流扩展和提高出光效率的作用。 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN 蒸镀ITO 光刻ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO 胶 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO 胶 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO 胶 甩胶 曝光 显影 光刻一般是分为三步： 1.甩胶，胶是用来做光刻的掩膜，分为正胶和负胶 2.曝光,胶是一种光的敏感材料，见光反应，如果是正胶见光后，见光部分则容易被显影液去掉，如果是负胶见光后，则没有见光的部分容易被显影液去掉 3.显影，通过显影液去掉经过曝光的正胶或没有曝光的负胶 ITO腐蚀 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO 腐蚀ITO 去胶 腐蚀分别湿法腐蚀和干法刻蚀两种 湿法腐蚀：通过液体化学药品与要去掉的物质发生化学反应，生成气体或溶于液体的物质而去掉。这种方法有各向同性的性质，会容易 产生钻蚀现象。 干法刻蚀：通过气体原子和离子轰击及辅助相应的气体化学反应，而去掉需要去掉的层。这种方法的优点就是它的各向异性特点，但是由于 其能量极大，如果用胶保护容易把胶打焦从而导致后续去胶困难。 湿法腐蚀去ITO 光刻N电极 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO 甩胶 曝光 显影 ICP刻蚀N电极 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO ICP刻蚀GaN 去胶 由于GaN的化学性质特别稳定，用一般的化学药品很难腐蚀动，即使能腐蚀，速率也是特别的慢，所以要去掉GaN一般用干法刻蚀 PECVD沉积SiO2 SiO2为钝化膜，起到防静电，保护发光管的作用。 P-GaN N-GaN MQW P-GaN ITO P-GaN N-GaN MQW P-GaN ITO 沉积SiO2钝化膜 光刻电极 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO SiO2 P-GaN N-GaN MQW P-GaN ITO SiO2 Al2O3 P-GaN MQW P-GaN ITO SiO2 P-GaN N-GaN MQW P-GaN ITO SiO2 甩胶 曝光 显影 腐蚀SiO2 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO SiO2 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO SiO2腐蚀 蒸镀金属电极及剥离 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Au电极 Al2O3 N-GaN MQW P-GaN ITO Au电极 蒸镀金属电极 金属剥离