YB580大功率IGBT全参数自动测试系统.DOCVIP

YB580大功率IGBT全参数自动测试系统, 主极电流100A/200A/400A/500A/700A/1000A/1250A可选。 该产品可测试IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,r CE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证0.5%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品领先水平。 可以扩展测试其他半导体分立元器件。 2、主极参数 1）、主极电压：0--2000V 2）、电压分辨率：1mV 3）、主极电流：0---50A 加选件YB550向下可扩展到1pA， 加选件YB580-X向上可扩展到： 100A, 200A, 400A, 500A 700A, 1000A， 1250A。 4）、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA 控制极参数 1）、控制极电压：100mV---20V 加选件可扩展到80V 2）、电压分辨率：1mV 3）、控制极电流：100nA---10A 加选件可扩展到40A 4）、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA 5）、电流精度：1%+10nA+20pA/V 6）、测试速度：0.5MS/参数 ?3.绝缘栅晶体管、IGBT测试仪参数及精度 电参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 ICES IGESF IGESR 0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2） 100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A 1nA(50pA)（1） 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1） BVCES 0.1V-1000V- 1400V - 1600V 100μA - 200mA -100mA -50mA 5mV 1%＋100mV VGETH 0.10V- 20.0V(80V)（2） 100nA- 3A 5mV 1%+10mV VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A 5mV V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA ? （1）??? 需要YB550选件 （2）??? 需要栅极80V选件 该IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率。与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。 4系统主要特征 ★YB580X IGBT测试系统是我公司从国外引进的国产化项目。该IGBT测试仪目前已通过国内两家计量站的综合检测认定。经过与国内其他测试系统对比使用，YB测试系统在系统硬件的可靠性、稳定性、功率范围、测试范围、系统测试精度、测试参数的一致性等多项指标已远远超过国内产品。 YB测试系统目前是国内高端最好的IGBT测试仪器。 ★作为精密仪器引进项目，YB IGBT测试系统严格按照国军标产品之标准，全部选用优质可靠的元器件。系统严格按照军用整机检验标准进行测试检验，确保系统的稳定性和可靠性。YB IGBT测试系统所使用的各种继电器，全部采用国外名牌公司生产的水银继电器，从而大大提高了谊邦系统的测试速度，提高了系统的使用寿命。 ★服务周到是我公司的优势之一。选用YB测试系统，享受YB电子服务，我们的服务可以在一小时内答复解决方案，到达用户现场当天解决系统出现的所有问题。 ★YB IGBT测试系统在实际操作中，可真实达到电压2000V、电流1250A的测试条件。在极限值条件下测试，系统同样保持高精度和良好的重复性、稳定性。此项指标远远领先于国内其他产品。 ★本IGBT测试系统测试原理和方法符合国家相关规范和标准。 ★大功率器件测试采用脉冲法测试，脉冲宽度为规定的300uS。 ★YB IGBT测试系统硬件设计先进，升级能力强。为用户今后做测试系统升级提供了有力的技术保障。YB元器件测试系统硬件支持电压升级到5000V，电流升级到1250A。 ★系统采用先进的嵌入式计算机结构，可以实现脱机测试功能。提高了系统的可靠性和使用灵活性。 ★YB分立器件测试系统和YB半导体测试