电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-6-4 光伏效应型光敏器件.pptxVIP

6-4 光伏效应型光敏器件 第六章 光敏及光电器件 主要内容 6-4-1 硅光敏二极管的工作原理 1.硅光敏二极管的基本结构 2.器件的工作原理 6-4-2 硅光敏二极管的基本特性 1.电压-电流特性 2.光谱响应特性 3.暗电流 4.温度特性 6-4-1 硅光敏二极管的工作原理 1.硅光敏二极管的基本结构 1 有入射窗口，置一小透镜，聚光。 2 为增大受光面积，管芯面积要大些，电极面积小些 3 为减少光的吸收损耗，结深要浅些 4 为提高稳定性，在管芯表面生长一层SiO2保护层 6-4-1 硅光敏二极管的工作原理 2.器件的工作原理 在未受光照的热平衡状态下，PN结中P区和N区的费米能级是相同的。Ln、Lp分别为电子和空穴的扩散长度；L为耗尽层宽度。若PN结上加以适当的反向电压，PN结的耗尽层被拉宽，同时在电路中产生一个反向漏电流，一般情况下，PN结中少数载流子极少，故其反向漏电流也很小。 6-4-1 硅光敏二极管的工作原理 吸收光能，激发出非平衡电子-空穴对 非平衡电子和空穴在不均匀电场作用下向相反方向运动 靠近势垒区边界一个扩散长度内的非平衡载流子扩散到势垒边界或在外电场下漂移到势垒区。 4.在电场作用下，P区积累空穴，N区积累电子，形成与PN结内建电场方向相反的光生电场，建立光生电动势。光生电动势的大小和PN结的性质及入射光的强度有