用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型作方法.pptxVIP

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2018-06-26 发布于福建
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用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型作方法

汪鑫悦集成中心;Paper structure;摘要;引言;工艺方法------刻蚀减薄;干法刻蚀制作超薄芯片所选用硅晶圆为双面抛光的直径4英寸 (厚度370um的) ;湿法腐蚀制作超薄芯片;湿法腐蚀制作超薄芯片;两种工艺方法比较; 结果与讨论;图显示了湿法腐蚀出的厚60μｍ的超薄芯片。可以看出，芯片表面非常平整，腐蚀出的侧壁角度为54.7°。利用激光显微镜测得的表面粗糙度仅0.02μｍ。 ; 结果与讨论;;文章结构：摘要内容过多，引言大体符合倒梯形，结束语符合梯形。文章内容：两种制作方法描述很清楚，并作出实际实验，验证了结果总体来说，是一篇值得学习和了解的文章;Thanks for Your Time!