电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-8-1 压阻式压力传感器的工作原理.pptxVIP

第八章 压力传感器 8-1 压阻式压力传感器的工作原理 主要内容 8-1-1 半导体的压阻效应 8-1-2 压阻式压力传感器的工作原理 8-1-1 半导体的压阻效应 液体静压强:是把压力通过液体的传递，造成材料各处均匀受压，使晶格间距减小，但并不破坏晶体的对称性，只能使能带极值发生移动，使禁带宽度在不同方向上发生变化。 单轴应力（沿某一方向进行纵向拉伸或压缩，产生形变的力称为单轴应力）：除纵向伸长或缩短外，还存在由切变应力引起的横向变小或变大。这种切应变使晶体的对称性随之发生变化，有的晶向上晶格间距减小，有的晶向上晶格间距增大，导致能带结构在不同晶向方向上产生不同的变化，引起不同晶向电阻变化值不同。 8-1-1 半导体的压阻效应 金属电阻应变效应：在外力作用下发生机械变形时，其电阻值随着它所受机械变形（伸长或缩短）的变化而发生变化的现象，称为金属电阻应变效应。 压阻效应：对半导体施加应力作用除产生形变外，同时也改变了载流子的分布和运动状态，导致材料宏观电阻率的变化。这种由外力作用引起半导体电阻率变化的现象称为压阻效应。 8-1-1 半导体的压阻效应 以硅为例分析在单轴应力作用下半导体能带的变化 1）[100]方向能谷升高，载流子数减少。 2）[010][001]方向能谷降低，填充载流子数增多。 3）虚线-受力，实线-受力前，虚线在内表能量升高，虚线在外表示能量降低。 4）[100]