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高频混合讯号积体电路应用及设计趋势
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Application and Design Trend on High Frequency Mixed mode IC Design
瑞昱半導體 研發中心
類比IC設計部 經理 林盈熙
前言
隨著通訊、消費性電子產品及電腦應用的多元化,混合訊號積體電路的應用及設計趨勢也隨之複雜化。除了要考慮以往的電路技術層面的問題,也隨著先進製程的演變,設計流程所要解決的困難也增加了許多。此篇文章將目前業界研發高頻混合訊號積體電路所面臨的問題,及未來可能的解決方法與讀者進行討論。期待能藉由拋磚引玉的方式,讓更多的產業先進了解相關的問題。
產品及應用的趨勢
科技的進步除了帶來生活的便利之外,以往的通訊、娛樂及資訊取得的方式也產生很大的變革。, (Communication)
WLAN
Digital Cellular Phone/ Wi-Fi Phone
Modem/Remote Access
消費性電子 (Consumer)
Digital Camera/ Video
DVD
Digital TV/HDTV
電腦 (Computer)
Portable PC
Live Plug-in Peripheral
此外因應消費者的需求及系統技術的變化,IEEE
傳輸距離與轉輸速率的不同的無線通訊規格
製程變化及技術需求
隨著使用者的需求,混合訊號積體電路的技術需求也隨之改變。除了無線射頻技術及高速類比/數位、數位/類比轉換器技術之外,高音質的處理IC (Audio Codec),高速資料連接介面(USB2.0, STAT, PCI express..)甚至電源供應管理,LCD driver) 技術等等,都進一步地整合在積體電路中。(deep-sub micron)製程,也增加了電路設計上的困難。閘極氧化層的厚度在0.l3um的製程己經接近2奈米(nm),崩潰電壓(breakdown voltage)因此降低許多,所以類比電路的操作區堿也受到限制。為了要提供類比電路更多的選擇及設計的空間,0.18um以後的製程大多有提供電晶體不同的臨限電壓(Threshold voltage)元件,因此增加了許多額外的佈植製程(Implantation),元件參數飄移的區間也比以往增加了許多。深次微米製程所使用的高/低介電質材料(High/Low K)也使得晶片在經過機化學拋光(CMP)之後,元件的變異(Variation)範圍變得更寬,綜(mismatch),才能充份反應製程的影響。
複雜的製程除了增加了設計的困難度外,隨著電晶體的通道長度(channel length)變短,電晶體的閃爍雜訊(flic
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