CuX（X=r，I）的电沉积制备及形貌调控研讨.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 铜的卤化物在过去的几年中已经强烈的引起了人们兴趣。这是因为它们是 研究非线性光学的理想模型材料并且其表现出许多不寻常性质(如大的能带间 隙、负自旋轨道分裂、不寻常的强烈温敏性和类似反磁性行为)。CuBr已经用于 有机合成的催化剂、电池、气体传感器和激光器。CuI可用作太阳能电池材料、 超导材料及很多有机合成中重要的催化剂等。因此，制备CuBr和CuI具有重要 的意义。电沉积法是一个很好的溶液沉积过程，可以用来在水溶液或非水溶剂 中沉积各种半导体薄膜。同其他方法相比，电沉积的优势在于低温、低成本、 能控制颗粒的尺寸、形貌和沉积薄膜的特性。本文就是利用室温下电沉积一步 法制备出纯度高，结晶性好的CuBr和CuI薄膜。通过改变不同沉积因素或加入 氨基酸改变其形貌或取向。 论文研究内容分为三部分 薄膜的优先取向已经是晶体生长领域中心课题之一，本文对具有(111)面优 先取向CuBr薄膜的生长机理进行分析，影响优先取向的因素有三个：电结晶条 件、衬底和晶面的表面能。通过考察pH值、沉积电位、沉积时间、温度对CuBr 薄膜晶体取向的影响发现可以排除电沉积条件的影响，基体由于是多晶的也可 以不予考虑，因此，确定造成CuBr薄膜具有优先取向原因是：面心立方结构的 晶体，其(111)面具有最小的表面能，该面比较容易成核，生长。 以组氨酸、甘氨酸为添加剂，采用电沉积方法制备出具有不同生长取向和 体生长(111)优先取向大大削弱，导致形貌转变为片状结构聚集成平均直径为 4p,m的均匀微球。而甘氨酸添加剂对CuBr只有微弱的影响。另外对添加不同氨基 酸电沉积制备CuBr晶体生长机理进行了初步探讨。进一步考察了组氨酸作为添 加剂时不同组氨酸浓度、不同沉积电压和不同沉积电量对CuBr形貌影响。 用EDTANa．2作为络合剂采用一步法制备出纯度高，具有(111)面优先取向的 中文摘要 CuI晶体，这种高取向的生长有利于控制碘相关缺陷的密度，因此能产生比较好 荧光性质，有利于提高其光电性能的稳定性，从而有更大的利用空间。同时考 察了沉积时间、pH值和沉积温度对其晶体生长的影响，结果表明：这三个因素 没有改变CuI晶体的优先取向，除了沉积温度外，其他两个因素对形貌没有太大 的影响。 关键词：电沉积；CuBr；CuI；形貌 Il 英文摘要 Abstracrt The halideshaveattractedintensiveinterestinthe decades．Thisis copper past becauseare materialsfornonlinearresearchand theyprototype optical exhibit many unusual as band properties，suchlarge gap，negativespin-orbitsplitting，unusually large temperaturedependency,andanalogousdiamagnetism bromideshavebeenusedas in sensorsand catalysisorganic synthesis，batteries，gas lasers． have in Copper(I)iodinespotentialapplicationssuperionicconductor， solid·stat