Cu微结构制和ZnO纳米棒及Au纳米粒子的图案化自组装.pdf

摘要 摘要 微／纳米技术是实现微／纳米功能器件的基础，制备位置精确可控的微／纳米结 构是微／纳米技术的重要内容。发展工艺简单、成本低廉、可大面积批量制备铷 纳米结构的加工方法是微／纳米技术的研究热点。纳米材料由于其独特的化学和 物理性质，在微／纳米技术领域一直是研究的焦点。纳米材料的物理化学性质不 仅依赖与尺寸的大小，而且取决于形态和空间排布，因此，如何在纳米尺度实现 位置及结构精确可控的纳米材料自组装是实现纳米材料器件应用中最重要也是 最有挑战性的部分。 Wet 本论文基于电化学湿印章技术(Electrochemical Stamping，E．WETS)及琼 板为媒介，对金属膜微结构制备及纳米材料(纳米粒子、纳米棒)的自下而上 (bottom。u们图案化自组装进行了研究。 本论文共分为五章，前言介绍了微系统中半导体工业的金属膜微加工技术以 及纳米技术中的可控自组装技术，详细介绍了目前制备金属膜微结构的无掩模可 大面积复制技术，并对局限性进行分析。鉴于纳米材料的优异性质，以本论文中 涉及到的ZnO纳米棒和Au纳米粒子为例，重点介绍了纳米材料的可控自组装技 术，而后提出本论文的主要设想和工作思路。第二章介绍了论文实验中涉及的实 验技术和表征手段。特别是水蒸汽凝结法的使用，以直观的方式说明了反应前后 样品表面官能团的变化，结果可与XPS等其他表面技术互相对应，且该方法是 一种样品表面无损伤表征方法。第三章介绍把琼脂糖模板与电化学沉积技术相结 合，直接在n型硅表面利用电沉积方法制备Cu的微结构的新方法，该方法制备 的铜微结构的复制分辨率达到O．6％。第四章和第五章分别介绍ZnO纳米棒和 Au纳米粒子的图案化自组装，并且通过理论模型的搭建，分析了图案化自组装 中出现的特殊现象，如ZnO纳米棒的浓度关联选择性生长，Au纳米粒子边缘密 度增强自组装。第六章提出本论文的工作的展望。主要研究内容和取得的成果如 下三点： 1．把图案化的琼脂糖凝胶模板与电化学沉积技术相结合，提出在硅表面直 M 接制备铜微结构的方法。通过对镀液体系、沉积电位的优化，发现0．5 CuS04 +0．5MH2S04+添加剂的镀液体系在沉积电位为．0．4 V(vs．SCE)条件下，，在硅 摘要 表面沉积得到的铜微结构质量最好，其复制分辨率高高达-0．6％，表面光亮平整， 厚度可通过沉积时间控制且与时间成线性关系。通过对Cu2十在琼脂糖内的扩散 行为的研究，表明铜微结构厚度匀速生长是由于Cu2+的匀速扩散所致。 2．利用ZnO在不同材料基底表面的成核能力不同，提出一种无需利用任何 的预组装化学官能团或者使用ZnO薄膜作为种子层，即可直接在图案化的 阵列的性质进行了初步研究表明其具有较好的场发射性能，其开启电场为6．0 Wgm，场增强因子为1027。 ZnO在基底异相成核速度与固体表面的表面自由能、基底形貌和粗糙度等因 素有关，通过WCA和AFM的表征，发现ZnO在低表面自由能，均匀颗粒状的 基底上较溶液成核，且成核密度高，具体到论文中采用的三种基底(Au，ITO， 案化阵列的基础。相同浓度的前驱物种浓度，在Au上生长的ZnO纳米棒直径较 d,(80—100nm)，密度最高，沿基底垂直生长取向非常好；当基底为ITO时，生 长的ZnO纳米棒直径较大(200-400am)，，但是沿ITO基底垂直生长的取向较差， 密度低；当基底为Si时，生长的ZnO纳米棒不仅密度低，取向差，ZnO纳米棒 的形貌也不一致。即ZnO在三种表面的成核速度大小为AuITOSi。 通过前驱物种慢速成核区的浓度分布建立ZnO在不同材料基底表面的选择 性生长的模型，发现ZnO纳米棒阵列选择性生长可以通过反应物种浓度，基底 图案阵列的尺寸及沉积电位进行调节。当基底为图案化的Au／ITO时，ZnO在异 相成核过程中，优先在快速成核区Au上成核，之后由于前驱物种的扩散作用， 在合适前驱物种浓度下，