私立立志中学952FET题库-高雄私立立志中学.DOCVIP

私立立志中學 952 FET題庫 命題 教師 張志鴻 班級 訊二 座號 姓名 ◎ 選擇題，共37題，每題0分 ( D ) 1. (A) 一般可分成JFET及MOSFET二類 (B) 可分成N通道及P通道二種 (C) MOSFET又分成空乏型及增強型二種 (D) 輸入阻抗較雙極性電晶體為低 ◆詳解：場效應電晶體(FET)輸入阻抗約在10MΩ以上，而雙極性電晶體約為數kΩ ( C ) 2. 對一接面場效應電晶體(JFET)而言，當其工作在夾止飽和區時之ID電流為何？ (A) (B) (C) (D) ◆詳解：JFET同空乏型MOSFET一樣，其飽和區時之電流 ( A ) 3. 如圖 ，此符號代表之電子元件為？ (A) N通道JFET (B) P通道JFET (C) N通道MOSFET (D) ◆詳解：此電子元件符號為N通道JFET ( A ) 4. (A) (B) (C) (D) ◆詳解：場效電晶體(FET)工作時，係利用外加電壓所產生的電場效應來控制導通電流大小 ( D ) 5. P通道場效電晶體(FET)之電荷載子為？ (A) 電子 (B) 主載子為電洞、副載子為電子 (C) 主載子為電子、副載子為電洞 (D) 電洞 ◆詳解：場效電晶體(FET)係為單載子元件，對於P通道而言，其導通的電荷載子為電洞 ( D ) 6. N通道增強型MOSFET欲使之導通，則閘極源極間電壓(VGS)應加何種偏 壓？ (A) 0V (B) 負電壓 (C) 小於Vｔ (D) 大於Vｔ ◆詳解：N通道增強型MOSFET欲使之導通，必須使其 ( C ) 7. 一增強式MOSFET之VDS＝4V，k＝0.5mA/V2，t＝2V，， (A) 0V (B) 3V (C) 4V (D) 4.5V ◆詳解： ( D ) 8. 下列有關場效電晶體敘述，何者錯誤？ (A) 場效電晶體的輸入電流IG = 0 (B) 場效電晶體的主要型式有JFET，， 式MOSFET (C) 場效電晶體以控制通道之高度而達到控制ID大小 (D) 對場效電晶體的ID影響最大的是IG ◆詳解：對場效電晶體的影響最大的是 ( A ) 9. 下列有關N通道JFET特性何者正確？ (A) 當VGS＝0V且時ID最大 (B) 當VGS＞VP時ID最大 (C) (D) VGS、ID轉移曲線位於第一象限 ◆詳解：N通道JFET在外加電壓且時，其導通之通道最大，故其導通電流也相對最大 ( C )10. 有關MOSFET特性敘述，下列何者有誤？ (A) 增強型MOSFET結構上少了通道 (B) N通道空乏型MOSFET之夾止電壓(VP)為負值 (C) P通道增強型MOSFET之臨界電壓(Vt)為正值 (D) N通道增強型MOSFET之閘源極電壓需大於Vt才可能導通電流 ◆詳解：P通道增強型MOSFET之臨界電壓(Vt)為負值 ( D )11. 一增強型MOSFET臨界電壓Vt＝2V，，，ID為？ (A) 3mA (B) 2mA (C) 1mA (D) 0.5mA ◆詳解：已知，　時，　 ( C )12. 有一空乏型(depletion)MOSFET之IDSS＝12mA，V， (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 0.5mA ◆詳解： ( C )13. 下列敘述何者有誤？ (A) FET為電壓控制，BJT為電流控制 (B) FET為單極性，BJT為雙極性 (C) FET輸入阻抗低，BJT輸入阻抗高 (D) 當作開關時，FET無偏移(Offset)電壓，BJT則有0.2V ◆詳解：FET比BJT有較高的輸入阻抗 ( D )14. 下列敘述何者不正確？ (A) BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體 (B) MOSFET電晶體為單極性(unipolar)電晶體 (C) 一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小 (D) MOSFET電晶體為一種電流控制元件 ◆詳解：MOSFET電晶體係利用外加電壓所產生的電場效應，來控制其導通電流 ( A )15. 下列那一種元件是單靠一種載子來傳送電流？ (A) FET (B) 雙極性電晶體 (C) 二極體 (D) 電阻 ◆詳解：FET是屬於單載子元件，而BJT是屬於雙載子元件 ( B )16. 下列有關半導體元件之結構何者錯誤？ (A) NPN型與PNP型電晶體都屬於雙極性電晶體 (B) 增強型MOSFET特性類同於JFET (C) MOSFET可分成增強型(enhancement)與空乏型(d