第二批战略性新兴产业核心技术攻关申报指引.DOC

附件一： 第二批省战略性新兴产业核心技术攻关申报指南 （一）高端新型电子信息。 专题名称：核心高端芯片及其产品开发（专题编号：0110） 1.TD-LTE-Advanced终端芯片核心技术 研究内容：终端基带芯片研究内容包括TD-LTE-Advanced终端功能验证平台的设计与实现，确定芯片架构方案、芯片工艺方案、多核协同工作解决方案，TD-LTE-Advanced/TD-SCDMA双模设计、开发与验证，双模物理层软件的设计与开发，双模高层协议栈软件的设计与开发，双模参考设计方案的设计与开发，芯片和样机测试软件设计与开发；终端射频芯片研究内容包括分析TD-LTE-Advanced系统对终端射频芯片的指标需求，研究多模多频段射频芯片实现架构，明确与基带芯片的功能划分和控制配合，终端射频芯片要通过实测验证，性能满足TD-LTE-Advanced系统的需求。 主要目标：开发面向商用的支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM的多模终端基带芯片和终端射频芯片，TD-LTE能够满足3GPP R8、R9、R10和国内相关规范的要求，TD-SCDMA支持3GPP R7版本。开发支持TD-LTE-Advanced和TD-SCDMA等多模终端基带工程样片。 申报要求：项目完成后达到以下考核指标： 提供100片面向商用的多模芯片给终端厂家，用于运营商牵头的规模试验。完成面向商用芯片的研发，所提供芯片应