中性介质中丝酸在铂多晶和单晶电极上的吸附和氧化的CV和原位FTIRS研讨.pdfVIP

摘要 摘要 本论文运用电化学循环伏安、原位红外反射光谱等技术研究了中性介质中 丝氨酸分子在铂多晶和单晶电极表面的吸附和氧化，主要结果如下： 1、检测到中性介质中丝氨酸分子在铂多晶电极上低电位即可发生C．C键断 被完全氧化，而电位不高于0．7V时，CNad可存在于Pt电极表面。当电位进一 步升高，CNad等强吸附物种发生氧化生成OCN‘及C02，同时发生丝氨酸分子的 氧化，进一步提出了丝氨酸吸附和氧化机理。 2、丝氨酸分子在Pt电极上吸附和氧化过程中显著的pH效应主要表现在氧化 解离步骤，氧化解离吸附物种(ODA)的氧化电流峰随着溶液pH值升高而增加，而 对高电位下丝氨酸分子的直接氧化影响不大。不同pH环境中丝氨酸分子在铂电 极上电氧化活性的差别主要归因于溶液中OH-浓度及丝氨酸分子的不同存在形 式。 3、原位红外反射光谱的结果指出：丝氨酸分子在铂单晶电极表面氧化解离 产生的吸附物种随晶面结构变化，Pt(1 Pt(100)和Pt(1 础晶面电极获得的原位红外光谱中均可以观察到CN。d-的红外吸收峰。CNad’在 Pt(111)及Pt(110)电极上相对比较稳定，但在Pt(100)电极上，