电子技术（第三版)多媒体课件第1章 半导体二极管与三极管 .ppt

第五节、半导体三极管 2、放大区：曲线平坦部分　　　　　　 ?IB ?IC 　　特点： ①受控特性：IC受IB控制。　 ②恒流特性：IB一定时，IC不随 ICE而变化。 ?uCE ?IC 三个工作区域 0 IB=0μA 20μA 40μA 60μA UCE/V IC/mA 放大区 3 6 9 12 1 2 3 4 曲线间距反映电流放大系数β　　　　　 第五节、半导体三极管 0 UCE/(V) IC/(mA) 3、饱和区:曲线上升部分,UCE很小，UCE＜UBE　　 特点：IC不受IB控制，失去放大作用。 IC1 IB1 IC2 IB2 ?IB ?IC 变化小,不成比例 饱和区 三个工作区域 UCES饱和压降 第五节、半导体三极管 三极管工作状态区分 反向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 正向偏置 e结 截止区 饱和区 放大区 UCE= UCB+ UBE UCE UBE时:UCB为负，由反向偏置转为正向偏置。 UCE= UBE时:UCB为零； + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 第五节、半导体三极管 一、三极管的结构 发射极 基极 集电极 发射区 基区 发射结 集电结 集电区 b c e NPN型 N N P 第五节、半导体三极管 P P N 发射极 基极 集电极 发射区 发射结 基区 集电结 集电区 b c e PNP型 第五节、半导体三极管 N N P 几百微米 几微米 e b c 三极管结构图 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 e区掺杂浓度最高 第五节、半导体三极管 1、类型 NPN 型 PNP 型 e区掺杂浓度最高 2、结构特点 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 归纳 低频小功率管 3、按用途分类 低频大功率管 高频小功率管 高频大功率管 开关管 第五节、半导体三极管 三极管常见外型图 第五节、半导体三极管 半导体三极管 观看多媒体动画教学片《半导体器件》之二 链接动画片 第五节、半导体三极管 二、三极管的电流分配关系和电流放大作用 三极管可用于放大(也可做电子开关)。 放大——将微弱电信号增强到人们所需要的数值。 e b c 共发射极放大电路——发射极为交流输入和输出电压的公共端 uCE 输出端口 + - uBE 输入端口 + - 具备什么条件才能起放大作用？ 第五节、半导体三极管 (一) 放大的条件 1、加电原则 发射结（e 结）正向运用 集电结（c 结）反向运用 + - UCB + - UCE + - UBE N N P b e c e结 c结 N P + - 正向运用 b c e RB EB + - RC + - EC RC RB + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 加电原则 发射结（e 结）正向运用 集电结（c 结）反向运用 + - UCB + - UCE + - UBE P P N b e c e结 c结 RB RC + - EC RC RB b c e PNP管如何加电源？ EB + - + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 2、电位特点 　NPN型：VC＞Vb＞Ve 　PNP型： VC＜Vb＜Ve UBE 硅　0.6~0.8V 锗　0.1~0.3V UCB 几伏——十几伏 UCE＝UCB＋ UBE 几伏—— 十几伏　 UCE 3、电压数值 + - UCB + - UCE + - UBE b c e RC RB + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 （三）电流分配 实验电路 IB IE IC RC RB EB + - + - EC mA mA μA 调RB改变发射极电压UBE和基极电流IB 不同IB对应不同的IC和IE 第五节、半导体三极管 1、电流通路 2、电流流向 IB IE IC NPN型：IC、 IB流入， IE流出 PNP型：IC、 IB流出， IE流入 RC RB + - EC E