石墨烯、二硫钼和石墨烯二硫化钼异质结：制备和表征.pdfVIP

石墨烯、二硫化钼和石墨烯/二硫化钼异质结：制备和表征 中文摘要 中文摘要 二维层状半导体材料以其优异的物理、化学和机械性能，在光探测器、光伏 器件以及激光器等光电子领域具有广阔的应用前景。高性能的光电子器件制备需 要高质量、低缺陷以及大面积的二维层状材料，然而，基于当前的生长技术，实 现大面积、高质量二维层状材料的可控生长仍然面临着很大的挑战。为了突破上 述材料制备方面的瓶颈，本文重点研究了石墨烯、二硫化钼（MoS ）及石墨烯/二 2 硫化钼异质结构的可控制备。主要研究内容包括： 1. 成功制备出大面积、高质量的石墨烯，并利用改进的石墨烯转移方法，实 现了大面积石墨烯薄膜的定向转移。揭示了石墨烯在铜基底上的生长机理，系统 研究了生长基底、氢气、甲烷和温度对石墨烯性质的影响。并构建了基于石墨烯 的太阳能电池。 2.在常压下直接在二氧化硅（SiO ）上实现了少数层MoS 薄膜的生长。系统 2 2 地研究了化学气相沉积法（chemical vapor deposition, CVD ）中生长温度、时间、 气流等因素对MoS 薄膜生长的影响规律。采用直接在SiO 衬底上生长得到的 2 2 MoS2 薄膜构建了场效应晶体管。 3. 实现了在石墨烯上大面积MoS2 薄膜的原位生长。研究了物理气相沉积法 （physical vapor deposition, PVD ）制备石墨烯/二硫化钼异质结的方法，并探索了 工艺参数对材料生长影响规律。 关键字：石墨烯，二硫化钼，石墨烯/二硫化钼异质结，制备，表征 作 者：陈彩云 指导教师：鲍桥梁（教授） I Abstract Graphene, MoS2 and graphene/MoS2 heterojunction: preparation and characterization Graphene, MoS2 and graphene/MoS2 heterojunction: preparation and characterization Abstract Two-dimensional layer semiconductor materials have broad applications in light detectors, photovoltaic devices, and laser optoelectronics due to their excellent physical, chemical and mechanical properties. High-performance optoelectronic devices need large area, high quality and low defects nanomaterial. However realizing the growth of large and high quality layered materials still faces great challenges. In order to break the bottlenecks, this paper mainly studied the controllable prep