标准sigebicmos工艺光接收机的分析与实现-analysis and implementation of standard sige bicmos optical receiver.docx

中文摘要如今，短距通信的带宽需求越来越高，电互连已成为制约通信系统整体性能的瓶颈，光互连能够有效地提升传输带宽，但受制于其高昂的成本，其在短距通信中的应用收到了限制。光接收机是光互连的核心器件之一，因此，研制低成本高性能的光接收机是近年来的研究热点。标准SiGeBiCMOS工艺因其性能和成本优势，很多国外学者进行了大量有关标准SiGeBiCMOS工艺光接收机的研究。为实现标准SiGeBiCMOS工艺光接收机，本论文开展了以下研究工作：1、分析并模拟了能够在标准SiGeBiCMOS工艺上实现的光电探测器结构，基于IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺设计并流片实现了一种异质结PIN光电探测器，探测器面积为50μm×50μm，对880nm入射波波长的响应度为9.56mA/W；2、基于IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺设计并实现一种E型异质结光电晶体管和一种光电晶体管阵列，两者面积均为50μm×50μm，在880nm入射波波长下，前者响应度为0.38A/W，后者响应度为0.22A/W；3、设计了一种差分共射光接收机模拟前端电路，并通过IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺流片实现，芯片面积为850μm×440μm，测试得该电路带宽为1.87GHz，增益为66dB，数据传输速率为500MB/s；4、设计了一种集成单端RGC前置放大器的光接收机模拟前端电路，并通过IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺流片实现，芯片面积为733μm×469μm，测试得该电路带宽为1.2GHz，增益为68dB，数据传输速率为1.5Gb/s；5、设计了一种集成差分RGC前置放大器的光接收机模拟前端电路，并通过IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺流片实现，芯片面积为938μm×380μm，测试得该电路带宽为1.73GHz，增益为63dB；6、研究了异质结PIN光电探测器、异质结光电晶体管与光接收机模拟前端电路的集成方案，基于IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺设计并流片实现了集成异质结PIN光电探测器的差分共射光接收机、单端RGC光接收机和差分RGC光接收机，基于IBM7WL标准SiGeBiCMOS工艺设计并流片实现了集成异质结光电晶体管的差分RGC光接收机；关键词：光接收机；光电探测器；光电晶体管；标准SiGeBiCMOS；异质结；ABSTRACTToday,fortheincreasingbandwidthrequirementsofshort-distancecommunication,theelectricalinterconnecthasbeenthebottlenechinoverallsystemperformance.Opticalinterconnectscanenhancethetransmissionbandwidth,butitsapplicationinshort-distancecommunicationhasbeenlimitedbyitshighcost.Opticalreceiverisoneofthecoredevicesofopticalinterconnection,sothatdevelopmentoflowcostandhighperformanceopticalreceiverisresearchhotspotinrecentyears.ManyforeignscholarsmadealotofresearchabouttheopticalreceiverbasedonstandardSiGeBiCMOSprocessforitsperformanceandcostadvantages.ToachievethestandardSiGeBiCMOSopticalreceiver,thefollowingresearchandexperimentsarepresented.ThephotodetectorstructureswhichcanbeimplementedonstandardSiGeBiCMOSprocesswereanalysedandsimulated.AheterojunctionPINphotodetectorwasdesignedandfabricatedinIBM7WLprocess.Thephotodetectorachieves9.56mA/Wresponsivityforan880nminputopticalsignalStandardSiGeBiCMOSheterojunctionphototransistorwasanalysed.AE-heterojunctionphototransistorandaheterojunctionphototransisitorarr