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发光二极管LED（Light Emitting Diode）是由Ⅲ－Ⅴ族化合物，如GaAs（砷化镓）、 GaP（磷化镓）、 GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，是一种电变成光的能量转换器件。 二、LED发展历程 1962年,GE、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓（GaAsP）半导体化合物，发光效率仅为每瓦大约0.1流明； 1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED； 1968年，利用氮掺杂工艺，使GaAsP红光发光二极管的发光效率达到了1流明/瓦，并且能够发出橙光和黄光； 1971年，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED； 二、LED发展历程 1993年，高亮度红、绿LED开始批量生产； 1994年，日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管，使LED的发光波长覆盖从红色到蓝色整个可见光谱范围； 20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，但色泽不均匀，使用寿命短，价格高； 近几年LED的发展相当迅速， LED功率型器件也得到快速发展，实验室研究成果可以达到70?lm/W，大大超过白炽灯,器件功率达到1W 、 3W 、 5W甚至10W 、 20W。 三、LED特性 LED的核心是芯片，LED芯片是由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料制成的，其核心部分是PN结，因此LED具有PN结所具有的特性，如正向导通、反向截止、击穿特性。PN结最重要的特性就是单向导电特性即正向导通特性。 PN结的单向导电性 LED发光特性 在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子（少子）与多数载流子（多子）复合时，把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。 V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图2 表示。 光电参数的意义 （1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示： （2）发光强度IV ：正向工作电流(一般 IF=20mA)时，其法向上单位立体角内发出的光通量。发光强度单位为mcd(毫坎德拉)或cd(坎德拉)。 （3）光谱半宽度△λ：表示发光管的光谱纯度，是指1/2峰值光强所对应的两波长之间隔。 （4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）。 五、LED封装概述 LED封装就是将芯片和电极引线、管座和透镜等组件通过一定的工艺技术结合在一起，使之成为可直接使用的发光器件的过程。 LED封装的发展过程 随着芯片性能、发光颜色、外形尺寸和安装方式的不断更新进步，以及应用需求的不断增加，LED封装技术也在不断推陈出新，下图是LED封装形式的演变和技术进步过程： LED封装工艺 LED封装的一般工艺流程如下： 六、LED 原 材 料 介 绍 ? LED芯片 不同发光颜色的LED芯片所用材料有所不同，不同材料制成的芯片亮度有所不同。 蓝、纯绿色芯片由于其材料和结构物理性，抗静电能力差，易静电击穿，在使用过程中应采取防静电措施. 线框、支架 发光二极管引线框、支架按原材料分为铜支架和铁支架两种，按支架外形分平头形和碗杯形两种，支架为20位／条。不同发光二极管支架对发光二极管亮度有直接影响，如同样的封装形式碗杯形支架亮度比平头形支架亮度高。 六、LED 原 材 料 介 绍 六、LED 原 材 料 介 绍 粘接胶又分导电胶和非导电胶，导电胶即起到固定发光芯片的作用，又使芯片与支架之间形成良好的欧姆接触。非导电胶用于固定蓝色、绿、紫色芯片用，有利于防止芯片的静电击穿，并提高芯片封装后亮度。 六、LED 原 材 料 介 绍 金线为含金量为99.99％的纯金。主要用于连接芯片和支架。金线规格有φ18μm、φ20 μm 、φ25 μm 、φ30 μm 、φ35 μm等。金线的粗细决定器件可使用电流的大小。 六、LED 原 材 料 介 绍 F R 1 01 C K Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 按发光管发光颜色分：可以分成红色、黄色、绿色（又可以细分成黄绿色、标准绿、纯绿）、蓝色、白色等。另外有的发光二极管包含两种或三种颜色的芯片，即双色灯和全彩灯。 2) 根据封装材料分：即发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色或无色，可以分成无色透明、有色透明、无色散射、有色散射四种类型。