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第六节 场效应管 英文缩写：FET 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型： 第一类：结型场效应管（JFET） 第二类：绝缘栅型场效应管（IGFET） 又称：金属一氧化物一半导体型（MOSFET）; 简称 MOS型场效应管。 其中MOS场效管具有制造工艺简单，占用芯片面积小，器件的特性便于控制等特点。因此MOS管是当前制造超大规模集成电路的主要有源器件，并且已开发出许多有发展前景的新电路技术。 一、MOS场效应管 MOS管又分为 增强型（EMOS）两种 耗尽型（DMOS） 每一种又有 N沟道型 P沟道型 所以一共有四种： N沟道增强型（NEMOS） P沟道增强型（PEMOS） N沟道耗尽型（NDMOS） P沟道耗尽型（PDMOS） 现在以N沟道增强型为例讨论MOS管的工作原理： 1、结构：NEMOS管以P型硅片为衬底。 再在衬底上扩散两个N+区（高掺杂），分别为源区和漏区。则源区和漏区分别与P型衬底形成两个PN+结。 在P型衬底表面生长着一薄层的二氧化硅（SiO2）的绝缘层，并在两个N+区之间的绝缘层上覆盖