半导体新建的项目GCS基础施工的方案.docVIP

中国建筑第八工程局三星（中国）半导体新建项目 GCS基础施工方案中国建筑第八工程局PAGE PAGE 7一、工程概况三星（中国）半导体新建工程之A4主体工程之一的GCS位于主厂房FAB西侧，南北长255米，东西长52米，地上一层，轻型钢结构采光窗。基础形式为泥浆护壁钻孔灌注桩，桩上承台与筏板基础，承台和筏板高度不等，多达十几个标高，所以基础模板施工形式多样，施工难度较大。本方案主要针对承台及筏板施工。二、施工部署及施工重点、难点分析本单体工程，基础形式为筏板基础，其中桩基承台基础与筏板的交接标高有多种情况，给施工带来一定的难度：1、下降板土方开挖：因本工程部分筏板为降板，最大深度4.0m，部分承台突出基坑墙体一侧，给模板的支设带来了较大难度，因此施工组织必须严密，避免出现超挖。2、基础的模板主要形式有：承台侧模采用15厚覆膜竹胶板，外侧用石屑回填，垫层模板采用50×100木方。基坑墙体垫层及墙体模板采用15厚腹膜竹胶板，单侧支设，模板的稳定性控制较难。3、共同沟最大深度13m，墙厚700mm，外侧为护坡桩支护，无工作面，单侧支模，困难较大。三、施工方法3.1、施工工艺流程混凝土垫层破除→土方挖除→ 基槽清理修整→验槽→承台100厚C15垫层施工→筏板垫层以下承台外侧模板施工→承台外侧及筏板100厚C15垫层施工→承台及筏板钢筋绑扎→柱墙钢筋插筋施工→模板支设→混凝土浇筑→养护。3.2、各工序施工方法及要点3.2.1 土方挖除、基槽清理修整、验槽1、土方开挖方案①大面积土方开挖详见土方施工单位提供的土方施工方案。②局部土方开挖节点见图3.2.1-1、图3.2.1-2。当基坑深度＜2000mm时的开挖方式详见图3.2.1-1；当基坑深度≥2000mm时的开挖方式详见图3.2.1-2. 图3.2.1-1 坑深＜2000基坑开挖方式 图3.2.1-2 坑深≥2000基坑开挖方式③深4m基坑处，开挖方式详见图3.2.1-3。图3.2.1-3 22-25/A-C轴基坑开挖图示2、基槽清理修整、验槽①基坑清理：基坑开挖后，承台及筏板基槽在距槽底设计标高300mm槽帮处，抄出水平线，钉上小木撅，然后用人工将暂留土层挖走。同时由两端轴线(中心线)引桩拉通线(用小线或铅丝)，检查距糟边尺寸，槽宽是以承台或筏板宽加上支设模板所需要的工作面，以此为标准修整槽边，最后清除槽底土方。②验收：自检完毕后，报建设单位、勘察单位、设计单位、监理单位进行验收，验收通过后方可进行下道工序。3.2.2 100厚C15垫层本工程垫层施工比较零散，为了保证基槽不受天气影响，当基槽清理一段后验收完毕后即浇筑垫层，先浇筑承台垫层，再浇筑部分筏板垫层。1、垫层模板采用50×100木方，侧边用长500mm的φ14钢筋打入土中固定，入土深度不小于300mm，钢筋间距600。2、用水准仪找标高，在基坑壁设置标高控制线，浇筑垫层前设置混凝土标高控制墩，以便在浇筑垫层混凝土时作为标高控制依据。3.2.3 基坑、基槽侧模施工1、使用经纬仪等工具放出底板、筏板、井坑等模板的位置，放线位置准确，并经过三方验线复核。2、高差大于2000mm（含）的基坑，沿结构外侧砌筑240砖墙，砖墙与边坡之间肥槽采用石屑夯实回填，如图3.2.3-1。图3.2.3-1 坑深≥2000基坑砖胎膜支设3、高差小于2000mm的基坑，基坑侧壁采用15厚覆膜胶合板面层，50*100截面木方，水平间距200mm，背楞采用φ48*3.5钢管对撑，间距500mm，见图3.2.3-2。图3.2.3-2 坑深＜2000基坑砖胎膜支设4、桩基承台基坑模板及共同沟模板支设详见图3.2.3-3、图3.2.3-4。图3.2.3-3 桩基承台基坑模板支设图3.2.3-4 共同沟模板支设示意图3.2.4 承台、筏板钢筋制作安装3.2.4.1 材料准备1、进场钢筋必须具备出厂质量证明书。2、对进场钢筋按规范的标准，经现场监理工程师见证取样，按批抽样做机械性能试验，合格后方可使用。3、进场的钢筋和加工好的钢筋，根据钢筋的牌号分类堆放在高30cm间距2m的混凝土地垄墙上，以避免污垢或泥土的污染，严禁随意堆放。4.2.4.2 钢筋下料加工钢筋配料加工是根据设计图中承台及筏板配筋图，先绘出各种形状和规格的单根钢筋简图并加以编号，然后分别计算钢筋下料长度和根数，填写配料单，经审查无误后，方可进行下料加工。1、钢筋除污：钢筋的表面洁净，在钢筋下料前必须对受污染锈蚀的钢筋进行清理，对盘圆钢筋除锈工作是在其冷拉调直过程中完成；对螺纹钢筋采用自制电动除锈机来完成，并装吸尘罩，以免损坏工人的身体和污染环境。2、钢筋切断：钢筋切断设备主要有钢筋切断机，将根据钢筋直径的大小和具体情况进