硅基薄膜太阳电池稳定性分析及光致衰退自动测试系统设计-stability analysis of silicon-based thin film solar cells and design of automatic photo-induced decay testing system.docxVIP

原创性声明本人郑童声明:所 交1ì(j 学位论文，是本人在导师指导 F. .ill:行研究工作所取仰的成 果。除文巾已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成架不包含任何他人创作的、己公 开发表或者没有公开发表的作品的内容。 íN本 文所涉及的研究仁作做出贡献的其他个人相H刷丰.均已在文中以明确方式标明 ，本学位论文 l京创性庐明的法Ht资任ER本人*狈学位论文作者答名: 卢峭 [1 WJ: 头.$)7. 元。关于学位论文版i仅使用授权的说明本人完全了解 ìiij t..[1It大学关于收集、保存、{史 Hl 学{也论文的规定， lfiJ 怠如I f 各项内 容:按照学校姿求提交学位论文 (I(J印刷本和电手版本:学校有仪 t符号古{在论文的印刷木和 电子l板. Jf 采川直在印、缩 Il、 n灿、数字化或其它予段保({.论文;学校有权键供目录检索以 反提供本学位论文全文或者部分的阅览 j服务;学位有仪按有关规定向凶家有关部门或寝 。机钩送交谁又;的复印件和电子版:在不以窥利为目的的 jj?f提下 .frt直可以道当复制论文的部分成余部内科用于学术活动.(i来峦的学位i文在解*后运剧本授权 i兑俘n学位论文作者!在名: 知电8 日朔: 2:$77. /0.导班阳: {μ名普: 日期: 斗∞j./o河北工业大学硕士学位论文河北工业大学硕士学位论文硅基薄膜太阳电池稳定性研究及光致衰退自动测试系统设计硅基薄膜太阳电池稳定性研究及光致衰退自动测试系统设计 PAGE PAGE 13 PAGE PAGE 10第一章 绪论§1-1 研究背景及意义地球上的太阳能资源是最丰富的可再生清洁能源。在太阳能的有效利用中，太阳电池可直接将太阳 能转变成电能，是近些年来最具有活力、发展迅速的研究领域，太阳电池的研制和开发日益得到重视[1]。 大规模的光伏发电设备及光伏电站，近期可缓解我国广大西部无电地区居民的能源问题；从长远发展来 看，若太阳电池与建筑相结合进行光伏并网发电，不但可以达到绿色环保的目的，而且会有效降低成本 实现大规模应用，逐步改变我国传统能源现状，对克服我国能源紧张、改善生态环境具有重大意义。1954 年，Chapin[2]等人宣布第一块晶体硅太阳电池的诞生，其具有 6%的转化效率。目前，国内外 光伏市场大部分被单晶硅（monocrystalline silicon, c-Si）及多晶硅（polycrystalline silicon, poly-Si）太阳 电池技术所占据着。尽管如此，非晶硅及微晶硅薄膜太阳电池仍然是最具发展潜力的低成本的光伏器件。目前，国内外制备硅基薄膜材料和太阳电池的方法主要包括以下三种：甚高频等离子体化学气相沉 积（VHF-PECVD）、高压耗尽射频等离子体化学气相沉积（HPD-RF-PECVD）和热丝化学气相沉积（HWCVD）[3-4]。近些年来，微晶硅薄膜太阳能电池以及非晶/微晶叠层电池的研究成为热点。通常认 为：微晶硅薄膜是纳米晶粒、晶粒间界、空洞和非晶组分共存的混合相材料，有着与单晶硅和非晶硅材 料的不同性质。其很大的优点就是：即具有高光学稳定性和高的吸收系数，又可拓展光谱响应范围。据 报道，在非晶相/微晶相过渡区制备的单节硅薄膜太阳电池具有较高的转化效率[5]。但同时仍然存在电 池性能衰退的现象，稳定性问题依然没有完全解决。这一问题成为近两年国际上硅基薄膜太阳电池研究 的焦点。如果这一问题能够得到解决，那无疑能促进硅基薄膜太阳电池在实际应用方面的进一步推广， 使太阳电池走出实验室，走到人们生活当中，让人们能够得到更低成本、更高稳定性能的清洁能源。这 也是本课题研究的主要意义所在。§1-2 硅基薄膜太阳电池稳定性研究综述硅基薄膜太阳电池最终要走出实验室，应用到我们日常的生活当中。在其长达 20 年的使用寿命中， 要经受外界环境和太阳光照的考验，所以电池稳定性的研究始终都是光伏研究工作的重要一环。1-2-1 非晶硅材料结构与特性非晶硅（a-Si:H）与单晶硅的结构类似，如图 1 所示。左边的是单晶硅的结构示意图，右边的是非 晶硅结构示意图。通过与单晶硅材料结构比较，我们可以得出：非晶硅材料宏观上丧失了严格周期性的 晶格结构，但在某种程度上非晶硅仍能保持一定的有序结构；与单晶硅相比，非晶硅的晶格结构有两个 主要的不同点：键的弯曲以及悬挂键的存在。对于高质量的非晶硅材料，Si-Si 键的键长和键角的差异 约为 10%和 2%[6]。A B图 1.1 (A) 为晶体硅的晶格结构；（B）为带有 Si-Si 键、Si-H 键和悬挂键的氢化非晶硅晶格结构。Fig1.1 (A) Lattice of crystalline silicon; (B) Hydrogenated amorphous