011011时地址译码器输出W0~W3分别出现高电平.docVIP

PAGE 1PAGE 2习题6-1 二极管ROM电路如题图6-1所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时，地址译码器输出W0～W3分别出现高电平。根据电路结构，说明内存单元0～3中的内容是什么？●表示如虚框连接。地址译码器地址译码器RRRRA0A1W0W1W2W3D0D1D2D3 题图6-1习题6-2 NMOS ROM电路如题图6-2所示。已知地址译码器译中的通道输出Wi为高电平。根据电路结构，说明内存单元0～7中的内容。地址译码器W0地址译码器W0W1W2W4W6W7D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2VDDW5W3 题图6-2习题6-3 NMOS ROM实现的组合逻辑电路如题图6-3所示。已知地址译码器译中的通道输出为高电平。分析电路功能，写出逻辑函数F1、F2的表达式。1111W7W6W5W4W3W2W1W0F2F1F3F4BCA地址译码器1111W7W6W5W4W3W2W1W0F2F1F3F4BCA地址译码器 题图6-3 习题6-4 PROM实现的组合逻辑电路如题图6-4所示。F2F1ZYX111F2F1ZYX111 题图6-4分析电路功能，说明当XYZ为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。XYZ为何种取值时，函数F1=0，函数F2=0。习题6-5 已知逻辑函数F1 ～F4为 试用PROM实现之，並画出相应电路。习题6-6 已知逻辑函数F1 ～F3为 试用PROM实现之，並画出相应的电路。习题6-7 74LS161和 PROM组成的电路如题图6-7所示。分析74LS161功能，说明电路的计数长度M为多少。写出W、X、Y、Z的函数表达式。在CP作用下，分析WXYZ端顺序输出的8421BCD码的状态，並说明电路的功能。Q3Q3Q2Q1Q0D C B A CTTCTPLDRD1111174LS161WXYZCP 题图6-7 习题6-8 可编程逻辑阵列(PLA)实现的组合逻辑电路如题图6-8所示。分析电路功能，说明当ABC为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。若电路改为PROM实现，内存单元的容量有何不同，各应为多少？1111ABCF1F2 图6-8习题6-9 可编程逻辑阵列(PLA)实现的码制变换电路如题图6-9所示。写出F1 ～F4的函数表达式。分析输入、输出的逻辑关系，说明电路是何种码制变换电路。电路矩阵的容量为多少？若改用PROM实现此电路功能，则矩阵的容量应为多少？11111Y1Y2Y3Y4DCBA 题图6-9习题6-10 可编程逻辑阵列(PLA)实现的显示译码电路如题图6-10所示。根据PLA结构写出函数abc…g的表达式。分析电路功能，说明当输入变量DCBA从0000变化到1111时，abcdefg后接的七段LED数码管显示的相应字形。111111abcdDCBAefgcaabdefg 题图6-10习题6-11 试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数； 並画出相应的电路。习题6-12 试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数： 並画出相应的电路。习题6-13 可编程逻辑阵列(PLA) 和D-FF组成的同步时序电路如题图6-13所示。根据PLA结构，写出电路的驱动方程和输出方程。分析电路功能，画出电路的状态转换图。CPCPOCQ0Q1Q2DDD 题图6-13习题6-14 可编程逻辑阵列(PLA) 和D-FF组成的同步时序电路如题图6-14所示。分析电路功能，画出电路的状态转换图，说明电路能否自启动。CPCPZQ0Q1DD1X 题图6-14习题6-15 试用可编程逻辑阵列(PLA)