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- 2018-06-30 发布于福建
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两种半导体大器件
贵有恒何必三更眠五更起,最无益只怕一日曝十日寒 与君共勉 * 贵有恒何必三更眠五更起,最无益只怕一日曝十日寒 与君共勉 第 2、3 章 小 结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区三极两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放大 条件 内因:发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 外因:发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC =? IB+ ICEO IE =(1+?) IB + ICEO IE = IC + IB IC =? IB IE = (1+? ) IB 第2、3 章 小结 贵有恒何必三更眠五更起,最无益只怕一日曝十日寒 与君共勉 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ? A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth): 0.5V(硅管) 0.1V(锗管) 工作电压(UBE(on): 0.6 ? 0.8V 取 0.7V (硅管) 0.2 ? 0.3V 取
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