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6 8 《电力电子技术》1998 年第3 期　1998. 8 IGBT 驱动电路性能分析Analysis on the Performance of IGB T Driving Circuit 山东工业大学　尹　海　李思海　张光东　(济南　250061) 摘要:阐述了对IGB T 驱动器的基本要求,介绍了IGB T 驱动器的各种电路形式及特点,指出了使用时应注意的问题。Abstract :The paper describes the basic requirements for IGB T driving circuit and its various circuit forms and characteristics. The problems which should be noticed in application are pointed out. 叙词:绝缘栅双极晶体管　驱动电路Keywords :IGBT; driving circuit 1 　引　言近年来,新型功率开关器件IGB T 已逐渐被人们所认识。与以前的各种电力电子器件相比,IGB T 目前在综合性能方面占有明显的优势,并正越来越多地应用到工作频率为几十千赫、输出功率为几千瓦到几十千瓦的各类电力变换装置中。然而,在IGB T 的使用过程中,发现了不少影响IGB T 推广使用的问题, 其中之一就是IGB T 驱动电路的合理选择和正确设计问题。2 　IGBT 驱动器的基本要求一个理想的IGB T 驱动器应具有以下基本性能: (1) 动态驱动能力强,能为IGB T 栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲。当IGB T 在硬开关方式下工作时,会在开通及关断过程中产生较大的开关损耗。这个过程越长,开关损耗越大。器件工作频率较高时,开关损耗甚至会大大超过IGB T 通态损耗, 造成管芯温升较高。这种情况会大大限制IGB T 的开关频率和输出能力,同时对IGB T 的安全工作构成很大威胁。IGB T 的开关速度与其栅极控制信号的变化速度密切相关。IGB T 的栅源特性呈非线性电容性质,因此,驱动器须具有足够的瞬时电流吞吐能力,才能使IGB T 栅源电压建立或消失得足够快,从而使开关损耗降至较低的水平。另一方面,驱动器内阻也不能过小,以免驱动回路的杂散电感与栅极电容形成欠阻尼振荡。同时,过短的开关时间也会造成主回路过高的电流尖峰,这既对主回路安全不利,也容易在控制电路中造成干扰。(2) 能向IGB T 提供适当的正向栅压。IGB T 导通后的管压降与所加栅源电压有关,在漏源电流一定的情况下, u GS 越高, uDS 就越低, 器件的导通损耗就越小,这有利于充分发挥管子的工作能力。但是, u GS 并非越高越好,一般不允许超过20V , 原因是一旦发生过流或短路, 栅压越高,则电流幅值越高, IGB T 损坏的可能性就越大。通常,综合考虑取+ 15V 为宜。(3) 能向IGB T 提供足够的反向栅压。在IGB T 关断期间,由于电路中其它部分的工作, 会在栅极电路中产生一些高频振荡信号。这些信号轻则会使本该截止的IGB T 处于微通状态,增加管子的功耗,重则将使逆变电路处于短路直通状态。因此,最好给应处于截止状态的IGB T 加一反向栅压(幅值一般为5～15V) ,使IGB T 在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。(4) 有足够的输入输出电隔离能力。在许多设备中, IGB T 与工频电网有直接电联系,而控制电路一般不希望如此。另外许多电路(如桥式逆变器) 中的IGB T 的工作电位差别很大, 也不允许控制电路与其直接耦合。因此,驱动器具有电隔离能力可以保证设备的正常工作, 同时有利于维修调试人员的人身安全。但是, 这种电隔离不应影响驱动信号的正常传输。(5) 具有栅压限幅电路,保护栅极不被击穿。IGB T 栅极极限电压一般为±20V , 驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。(6) 输入输出信号传输无延时。这一方面能够减少系统响应滞后,另一方面能提高保护的快速性。(7) 电路简单,成本低。(8) IGB T 损坏时,驱动电路中的其它元件不会随之损坏。IGB T 烧毁时,集电极上的高电压往往会通过已被破坏的栅极窜入驱动电路, 从而破坏其中的某些元件。由于IGB T 承受过流或短路的能力有限, 故IGB T 驱动器还应具有如下功能: (9) 当IGB T 处于负载短路或过流状态时, 能在IGB T 允许时间内通过逐渐降低栅压自动抑制故障电流,实现IGB T 的软关断。其目的是避免快速关断故障电流造成过高的d i/d t 。在杂散电感的作用下,过高的d i/d t 会产生过高的电压尖峰,使IGB T 承受不住而损坏。同理,驱动电路的软关断过程不应随输入信号的消失而受到影响,即应具有定时