基于形态学与线性规划方法的成品率增强方法.docVIP

基于形态学与线性规划方法的成品率增强方法.doc

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于形态学与线性规划方法的成品率增强方法

PAGE \* MERGEFORMAT ii 目 录摘 要ABSTRACT摘 要随着集成电路( IC) 技术的不断发展, 尤其是进入亚微米和深亚微米工艺阶段, 保持或提高集成电路的成品率已成为IC 制造中的关键问题. 然而, 由于集成电路生产工艺中的扰动, 在制造过程特别是在光刻工艺中, 圆片上不可避免地会产生缺陷(实际产生的图形与理想图形之间的偏差) , 由于这些缺陷的存在,就会引起电路发生故障,我们把电路中这些缺陷引起电路故障的区域称之为关键面积,关键面积的大小直接影响到芯片的成品率,因此我们要通过各种方法来使关键面积最小从而使得成品率最优。本文采用形态学和线性规划的方法来处理关键面积。数学形态学在图像处理方面有很多优点,通过对版图的处理,建立线性规划模型,然后再通过MATLAB得到最优解,进而得出最小关键面积。。该方法的优点是把求关键面积问题转化为数学问题,使问题更精确化,为成品率的优化提供了一条新途径。关键词:关键面积 形态学 线性规划 成品率 缺陷ABSTRACTABSTRACTWith the integrated circuit (IC) technology continues to develop, in particular to sub-micron and deep sub-micron process stage, to maintain or increase the yield of integrated circuits IC manufacturing has become the crucial issue in However, due to the production of integrated circuits The disturbances, particularly in the manufacturing process in the lithography process, the wafer inevitably will introduce defects, As a result of the existence of these flaw, they will cause a fault circuit ,in the circuit we call the region which caused fault by the flaw it the critical area ,the size of critical area immediately influence to the yield on the chip, therefore we must try our best to find any methods to minimize the critical area for yield optimization.This paper uses linear programming approach to critical areas。we can get Minimum critical area from matlab。The main advantages of this method are that it can transform a critical area problem into a mathematical problem and make the problem more specific,thus offering a new approach to yield optimization.Keyword: critical area Linear Programming(LP) yield defect目 录 PAGE \* MERGEFORMAT i目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc263843379 目 录 PAGEREF _Toc263843379 \h i HYPERLINK \l _Toc263843380 第一章 绪论 PAGEREF _Toc263843380 \h 1 HYPERLINK \l _Toc263843381 第二章 集成电路 PAGEREF _Toc263843381 \h 3 HYPERLINK \l _Toc263843382 2.1 集成电路现状与发展前景 PAGEREF _Toc263843382 \h 3 HYPERLINK \l _Toc263843383

文档评论(0)

xy88118 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档