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- 2018-07-02 发布于上海
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第5章
三极管(BJT)及其放大电路
§1 三极管
§2 基本共射放大电路
§3 BJT放大电路的分析方法
§4 静态工作点的稳定
§5 射极输出器和共基极放大器
§6 FET和BJT放大电路性能比较
§7 多级放大电路
一、BJT(Bipolar Junction Transistor)基本结构
基极
发射极
集电极
NPN型
基区:较薄,掺杂浓度低
集电区
发射区:掺杂浓度较高
发射结
集电结:面积较大
基本结构:
三区两结三极
符号:
一、BJT(Bipolar Junction Transistor)基本结构
二、电流放大原理
1、晶体管内部载流子的运动(以NPN型管为例)
工作条件:
发射结加正向电压
集电结加反向电压
EC
EB
C
E
N
N
P
B
N
N
P
EB
EC
IE
IB
IC
B
C
E
发射结正偏,导致大量载流子注入到基区,形成发射极电流IE
注入到基区的少部分电子与基区的空穴复合,形成电流IB ,多数扩散到集电结附近。
多数扩散到集电结附近的载流子被集电区收集,形成IC
BJT实质上是一个电流分配器:
基极电流控制集电极电流
服从基尔霍夫定律
IE = IC + IB = (1+ b)IB
或者 IC≈bIB
二、电流放大原理
1、晶体管内部载流子的运动(以NPN型管
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